【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，具体而言，涉及一种半导体晶圆的表面处理方法、装置、电子设备及介质。
技术介绍
1、随着3c电子领域对电池快充需求的快速增加，耐高压的电池充电芯片成为热门的研究方向。在电池充电芯片的制造过程中，主要采用深沟槽隔离工艺（deep trenchisolation，dti）及化学气相沉积工艺（chemical vapor deposition，cvd），并通过化学机械抛光制程（chemical mechanical polishing，cmp）对氧化硅进行抛光。但是，晶圆的非图形密集区域（iso区）和图形密集区域（dense区）会有不同的表面形貌，受到表面形貌的影响会导致氮化硅的厚度差变大，可能造成dense区的硅损伤，而iso区可能有氧化硅残留，进而导致器件隔离失效，影响芯片电性能。现有技术中，常用的方法是将dti-cmp工艺分为两部分，第一步是去除大部分的氧化硅，第二步是通过高选择比的研磨液，选择性的去除氧化硅，优化裸片内的平整度。
2、然而，对于高深宽比的工艺来说，iso区和dense区的差异较大，要将iso区的氧化硅完全去除，需要增加过抛时间，这会导致沟槽的蝶形坑过大，同样会造成深沟槽隔离失效。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请的目的在于提供一种半导体晶圆的表面处理方法、装置、电子设备及介质，以解决研磨过程中，由于增加过抛时间而导致的深沟槽隔离失效的问题。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种半导体晶圆的表面处理方法，包括：
<...【技术保护点】
1.一种半导体晶圆的表面处理方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定生成两层氧化硅薄膜的第一工艺要求及第二工艺要求，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据两层氧化硅薄膜各自的去除速率及所述待处理半导体晶圆上不同图形区域的透光率，确定第二厚度，包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述确定所述第一氧化硅薄膜对应的第一去除速率及所述第二氧化硅薄膜对应的第二去除速率，包括：
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述第二厚度及两层氧化硅薄膜的总厚度，确定第一厚度，包括：
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述速率差值与所述区域阻塞率的乘积及所述速率差值与所述全域阻塞率的乘积，确定第二厚度，包括：
7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述待处理半导体晶圆上不同图形区域包括图形密集区域及非图形密集区域，所述图形密集区域对应的透光率为第一透光率，所述非图形密集区域对应的透光率为第二透光率，所述第一透光率大于所述第二透光率
8.一种半导体晶圆的表面处理装置，其特征在于，包括：
9.一种电子设备，其特征在于，包括：处理器、存储介质和总线，所述存储介质存储有所述处理器可执行的机器可读指令，当电子设备运行时，所述处理器与所述存储介质之间通过总线通信，所述处理器执行所述机器可读指令，以执行如权利要求1至7中任一项所述的半导体晶圆的表面处理方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器运行时执行如权利要求1至7中任一项所述的半导体晶圆的表面处理方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆的表面处理方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定生成两层氧化硅薄膜的第一工艺要求及第二工艺要求，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据两层氧化硅薄膜各自的去除速率及所述待处理半导体晶圆上不同图形区域的透光率，确定第二厚度，包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述确定所述第一氧化硅薄膜对应的第一去除速率及所述第二氧化硅薄膜对应的第二去除速率，包括：
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述第二厚度及两层氧化硅薄膜的总厚度，确定第一厚度，包括：
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述速率差值与所述区域阻塞率的乘积及所述速率差值与所述全域阻塞率的乘积，确定第二厚度，包括：
7....
【专利技术属性】
技术研发人员：谢辉，陈献龙，韩佳锡，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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