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本申请提供了一种半导体晶圆的表面处理方法、装置、电子设备及介质，涉及半导体制造技术领域，该方法包括：确定生成两层氧化硅薄膜的第一工艺要求及第二工艺要求，第一工艺要求包括第一厚度及第一去除速率，第二工艺要求包括第二厚度及第二去除速率；在待处理...
该专利属于粤芯半导体技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过粤芯半导体技术股份有限公司授权不得商用。

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