【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子电镀领域，特别涉及一种高深宽比硅通孔电子电镀原位表征芯片及制备方法。
技术介绍
1、硅通孔技术，也称为tsv技术(through-silicon via)，是一种先进的半导体封装和集成技术。在硅通孔技术出现之前，半导体封装主要采用引线键合技术，这种技术在一定程度上能够实现芯片之间的电气连接，但随着半导体技术的发展，其键合密度、信号传输速度和功耗等方面的限制日益凸显。与此同时，随着电子设备的普及和深入到各个领域，对高性能、小体积和低功耗的需求也日益增强。
2、硅通孔技术则是通过芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的新技术。这种垂直堆叠的方式大大提高了封装密度，缩短了信号传输距离，从而降低了电路延迟，使得在更小的封装空间内实现更多的功能，对于移动设备、智能手机和其他小型电子设备来说，这种技术具有显著的优势。该技术的应用领域广泛，且仍在不断发展和创新，未来有望为半导体技术的发展带来更多的突破和创新。
3、对于小孔径、高深宽比的硅通孔，传统工艺要求高精度的光刻、刻蚀和深孔薄膜沉积...
【技术保护点】
1.一种高深宽比硅通孔电子电镀原位表征芯片的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种高深宽比硅通孔电子电镀原位表征芯片的制备方法，其特征在于，在所述硅基底的表面旋涂光刻胶以形成光刻胶薄膜，并将预设图案通过光刻显影工艺转移到所述硅基底的表面之后，还包括：
3.根据权利要求1所述的一种高深宽比硅通孔电子电镀原位表征芯片的制备方法，其特征在于，所述以所述光刻胶薄膜为掩膜层，以具有预设图案的硅基底进行干法刻蚀出目标深度的沟道，具体为：
4.根据权利要求3所述的一种高深宽比硅通孔电子电镀原位表征芯片的制备方法，其特征在于，在...
【技术特征摘要】
1.一种高深宽比硅通孔电子电镀原位表征芯片的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种高深宽比硅通孔电子电镀原位表征芯片的制备方法，其特征在于，在所述硅基底的表面旋涂光刻胶以形成光刻胶薄膜，并将预设图案通过光刻显影工艺转移到所述硅基底的表面之后，还包括：
3.根据权利要求1所述的一种高深宽比硅通孔电子电镀原位表征芯片的制备方法，其特征在于，所述以所述光刻胶薄膜为掩膜层，以具有预设图案的硅基底进行干法刻蚀出目标深度的沟道，具体为：
4.根据权利要求3所述的一种高深宽比硅通孔电子电镀原位表征芯片的制备方法，其特征在于，在首次进行刻蚀时，等离子体的轰击方向为顺应光刻胶侧壁倾斜方向。
5.根据权利要求3所述的一种高深宽比硅通孔电子电镀原位表征芯片的制备方法，其特征在于，所述刻蚀沟道的深度为2...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘俊扬，赵鑫，杨家强，赵骄阳，洪文晶，赵艺，甘津瑜，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：
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