【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，具体涉及一种半导体结构、半导体结构的制备方法及显示基板。
技术介绍
1、半导体的载流子迁移率是衡量半导体材料中载流子迁移能力的一个重要物理参数。迁移率描述了在施加电场作用下，载流子在半导体材料中沿着电场方向移动的速率。迁移率越高，表示载流子在电场中移动的能力越强，即材料的导电性能越好。半导体材料的迁移率受到多种因素如材料的纯度、晶格结构、温度等影响，杂质、缺陷或界面会降低迁移率。因此，提高半导体材料的载流子迁移率是半导体技术发展的重要方向之一。
技术实现思路
1、本申请公开了一种半导体结构、半导体结构的制备方法及显示基板，以解决半导体材料的载流子迁移率的问题。
2、第一方面，本申请公开了一种半导体结构，所述半导体结构包括衬底以及位于所述衬底上的金属氧化物半导体层，所述金属氧化物半导体层内包括氢离子，所述氢离子使得至少部分所述金属氧化物半导体层处于非晶态，以使得形成结晶态的所述金属氧化物半导体层的晶粒的平均晶粒尺寸大于预设尺寸。
3、在一些示例性实施例...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括衬底以及位于所述衬底上的金属氧化物半导体层，所述金属氧化物半导体层包括氢离子，所述氢离子使得至少部分所述金属氧化物半导体层处于非晶态，以使得形成结晶态的所述金属氧化物半导体层的晶粒的平均晶粒尺寸大于预设尺寸。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：位于所述衬底与所述金属氧化物半导体层之间的含氢离子层，所述含氢离子层内含有氢离子。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述含氢离子层包括以下中的一种或多种：氧化硅薄膜层、氮化硅薄膜层、非晶硅薄膜层。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括衬底以及位于所述衬底上的金属氧化物半导体层，所述金属氧化物半导体层包括氢离子，所述氢离子使得至少部分所述金属氧化物半导体层处于非晶态，以使得形成结晶态的所述金属氧化物半导体层的晶粒的平均晶粒尺寸大于预设尺寸。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：位于所述衬底与所述金属氧化物半导体层之间的含氢离子层，所述含氢离子层内含有氢离子。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述含氢离子层包括以下中的一种或多种：氧化硅薄膜层、氮化硅薄膜层、非晶硅薄膜层。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属氧化物半导体层包括铟元素，所述金属氧化物半导体层中的铟元素所占的比例大于50％。
5.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈发祥，马应海，刘启迪，郭滨，
申请(专利权)人：云谷固安科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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