一种含Ti钕铁硼磁体及其制备方法和用途技术

本公开涉及一种含Ti钕铁硼磁体，其中，所述含Ti钕铁硼磁体包括主相晶粒、薄层晶界相和三角区晶界相；所述含Ti钕铁硼磁体内包含TiB<subgt;2</subgt;晶体；所述含Ti钕铁硼磁体中TiB<subgt;2</subgt;晶体的总个数为N；所述主相晶粒内部分布的TiB<subgt;2</subgt;晶体的个数为N<subgt;1</subgt;；所述三角区晶界相中的TiB<subgt;2</subgt;晶体的个数为N<subgt;2</subgt;；其中，0≤N<subgt;1</subgt;/N≤0.05；0≤N<subgt;2</subgt;/N≤0.3。本发明专利技术提供的方法制备出的含Ti钕铁硼磁体的薄层晶界相内均匀分布有纳米级针状TiB<subgt;2</subgt;晶体，分布在主相晶粒内部和三角区晶界中的TiB<subgt;2</subgt;晶体数量少，使本公开制备的磁体具有高矫顽力和高方形度。

【技术实现步骤摘要】

本公开属于钕铁硼磁体领域，具体涉及一种含ti钕铁硼磁体及其制备方法和用途。

技术介绍

1、烧结钕铁硼磁体因其优异磁性能广泛应用于电机、信息技术、医疗器械等领域，尤其是在新能源交通工具领域采用的高能电机对磁体性能的要求较高，但现有的烧结钕铁硼磁体在高温下存在矫顽力hcj降低，易产生不可逆热退磁的问题。为提高矫顽力及增强耐热性，近些年经常利用晶界扩散工艺，将重稀土元素(例如dy、tb等)从磁体表面扩散到磁体的内部，使重稀土元素集中分布在主相晶粒的外壳区域，进而提高磁体矫顽力，同时抑制剩磁br的降低。

2、然而随着磁体应用市场对低成本、高性能的烧结钕铁硼磁体的需求急剧增加，因此要求尽量减少重稀土元素的使用量且提高磁体矫顽力。其中可以将钕铁硼合金粉末和氢化钛粉末混合在一起，或者在钕铁硼合金熔炼过程中添加钛元素，以生产出含ti的钕铁硼磁体，所得的钕铁硼磁体在可能的程度上减少重稀土元素使用量，且能够在一定程度上提高磁体矫顽力，但基于目前的工艺需进一步提升矫顽力则相对困难。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种含Ti钕铁硼磁体，其中，所述含Ti钕铁硼磁体包括主相晶粒、薄层晶界相和三角区晶界相；所述含Ti钕铁硼磁体内包含TiB2晶体；所述含Ti钕铁硼磁体的TiB2晶体分布满足如下式(1)和式(2)，

2.根据权利要求1所述的含Ti钕铁硼磁体，其中，0≤N2/N≤0.2。

3.根据权利要求1所述的含Ti钕铁硼磁体，其中，所述TiB2晶体的长度为100～500nm，宽度为1～20nm。

4.根据权利要求1所述的含Ti钕铁硼磁体，其中，所述薄层晶界相内的TiB2晶体分布满足如下式(3)，

5.根据权利要求1所述的含Ti钕铁硼磁体，其中，所述含Ti...

【技术特征摘要】

1.一种含ti钕铁硼磁体，其中，所述含ti钕铁硼磁体包括主相晶粒、薄层晶界相和三角区晶界相；所述含ti钕铁硼磁体内包含tib2晶体；所述含ti钕铁硼磁体的tib2晶体分布满足如下式(1)和式(2)，

2.根据权利要求1所述的含ti钕铁硼磁体，其中，0≤n2/n≤0.2。

3.根据权利要求1所述的含ti钕铁硼磁体，其中，所述tib2晶体的长度为100～500nm，宽度为1～20nm。

4.根据权利要求1所述的含ti钕铁硼磁体，其中，所述薄层晶界相内的tib2晶体分布满足如下式(3)，

5.根据权利要求1所述的含ti钕铁硼磁体，其中，所述含ti钕铁硼磁体包括r、ti、m、b和fe，所述r元素选自nd、pr、dy、tb、ho、la、y和ce中的一种或几种，所述m选自cr、co、ni、ga、cu、al、zr、nb、mo、sn、hf和w中的一种或几种；

6.一种制备含ti钕铁硼磁体的方法，其中，该方法包括：对r-ti-m-b-fe合金粉末依次进行成型处理获得压坯、压坯烧结处理和时效处理获得磁体；

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一烧结处理的温度为500～850℃，保温时间为5～10h；所述第二烧结处理的温度为900～1080℃，保温时间为1～6h。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述r-ti-m-b-fe合金粉末中，r...

【专利技术属性】
技术研发人员：李志学，曹慧钦，韩雪，
申请(专利权)人：天津三环乐喜新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：