半导体器件及其制作方法、存储器及存储系统技术方案

技术编号:41672034 阅读:22 留言:0更新日期:2024-06-14 15:28
本申请实施例公开了一种半导体器件及其制作方法、存储器及存储系统。所述方法包括:提供基底,以及位于所述基底上的堆叠层,所述堆叠层包括交替堆叠的层间牺牲层和层间绝缘层;去除部分层间牺牲层以形成栅极间隙;在所述栅极间隙中依次形成保护层和栅极结构;形成接触孔,所述接触孔从所述堆叠层背离所述基底的一侧延伸至一剩余层间牺牲层中,并暴露所述保护层;去除暴露于所述接触孔中的保护层,以暴露所述栅极结构;在所述接触孔中形成接触结构,使所述接触结构与所述栅极结构连接。本申请实施例能够降低漏电风险,提高存储器的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体,尤其涉及一种半导体器件及其制作方法、存储器及存储系统


技术介绍

1、随着存储器的堆叠层数的增加,存储器的工艺难度越来越高,如何制作存储器以提高存储器的性能是目前需要解决的问题。


技术实现思路

1、本申请提供一种半导体器件及其制作方法、存储器及存储系统,能够降低漏电风险,提高存储器的可靠性。

2、本申请提供了一种半导体器件的制作方法,所述方法包括:

3、提供基底,以及位于所述基底上的堆叠层,所述堆叠层包括交替堆叠的层间牺牲层和层间绝缘层;

4、去除部分层间牺牲层以形成栅极间隙;

5、在所述栅极间隙中依次形成保护层和栅极结构;

6、形成接触孔,所述接触孔从所述堆叠层背离所述基底的一侧延伸至一剩余层间牺牲层中,并暴露所述保护层;

7、去除暴露于所述接触孔中的保护层,以暴露所述栅极结构;

8、在所述接触孔中形成接触结构,使所述接触结构与所述栅极结构连接。

9、可选地,所述在所述栅极间隙中依次形成保护层和本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件的制作方法,其特征在于,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法,其特征在于,所述在所述栅极间隙中依次形成保护层和栅极结构的步骤,包括:

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法,其特征在于,所述在暴露于所述栅极间隙中的剩余层间牺牲层处形成所述保护层的步骤,包括:

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法,其特征在于,所述接触孔包括相连通的第一接触子孔和第二接触子孔;

5.根据权利要求4所述的半导体器件的制作方法,其特征在于,在所述去除至少部分所述剩余层间牺牲层的步骤之前,还包括:

...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件的制作方法,其特征在于,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法,其特征在于,所述在所述栅极间隙中依次形成保护层和栅极结构的步骤,包括:

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法,其特征在于,所述在暴露于所述栅极间隙中的剩余层间牺牲层处形成所述保护层的步骤,包括:

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法,其特征在于,所述接触孔包括相连通的第一接触子孔和第二接触子孔;

5.根据权利要求4所述的半导体器件的制作方法,其特征在于,在所述去除至少部分所述剩余层间牺牲层的步骤之前,还包括:

6.根据权利要求4所述的半导体器件的制作方法,其特征在于,所述方法还包括:

7.根据权利要求4所述的半导体器件的制作方法,其特征在于,所述栅极结构包括高介电常数介质层和栅极层,所述高介电常数介质层位于所述栅极层与所述层间绝缘层之间以及所述栅极层与所述保护层之间;

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制作方法,其特征在于,所述接触结构包括粘合层和导电层;

9.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:张强威袁彬许宗珂郭亚丽徐伟薛磊霍宗亮
申请(专利权)人:长江存储科技有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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