一种逆导型IGBT结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种逆导型IGBT结构及其制造方法。该逆导型IGBT结构自下而上包括集电极，彼此相接的N<supgt;+</supgt;集电极区和P<supgt;+</supgt;集电极区，N<supgt;‑</supgt;层，P型浮空层，N型场阻止层和N型漂移区；P型基区，形成在N型漂移区上部的一端；N阱区，形成在P型基区上部的部分区域；栅氧化层和氧化层，分别形成在N型漂移区上方的两端，使部分N阱区表面露出，形成欧姆接触孔；多晶硅层，形成在栅氧化层上；发射极，形成在氧化层上，并在欧姆接触孔处与N阱区相接触。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体涉及一种逆导型igbt结构及其制造方法。

技术介绍

1、逆导型igbt是在普通igbt器件的背面p型集电区中引入了n+短路区。当外加反向偏压时，器件正面的p阱区、n-漂移区和背面n+短路区构成了pin二极管结构，使得igbt发射极到集电极存在一条导电通道，从而实现了器件的反向导通性。同时，该二极管与igbt结构为片内反并联关系，因此，其可实现传统电路应用中反向续流二极管的作用。逆导型igbt有效减小了终端部分的面积，大幅降低了芯片生产制造成本及封装测试成本同时还优化了传统igbt与fwd分立芯片所产生的散热问题。

2、逆导型igbt中n+区的引入也带来了一个严重影响逆导型igbt正向导通性能的问题：电压骤回现象(snapback)：在导通初期，ic随vce逐渐上升，器件处于单极导电模式，器件内部只有电子参与导电，而当vce继续增大至某一值时，器件将进入双极导电模式，p型集电区开始注入空穴，此时，vce会有大幅度的下降，然而电流密度会继续增加，即输出特性曲线上会出现负阻现象。电压骤回现象会引起电流在单个器件或芯片的局部集本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种逆导型IGBT结构，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的逆导型IGBT结构，其特征在于，

3.一种逆导型IGBT结构制造方法，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的逆导型IGBT结构制造方法，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的逆导型IGBT结构制造方法，其特征在于，

6.根据权利要求3所述的逆导型IGBT结构制造方法，其特征在于，

7.根据权利要求3所述的逆导型IGBT结构制造方法，其特征在于，

【技术特征摘要】

1.一种逆导型igbt结构，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的逆导型igbt结构，其特征在于，

3.一种逆导型igbt结构制造方法，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的逆导型igbt结构制造方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈欣汝，徐航，朱颢，孙清清，张卫，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：