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本发明公开一种逆导型IGBT结构及其制造方法。该逆导型IGBT结构自下而上包括集电极，彼此相接的N<supgt;+</supgt;集电极区和P<supgt;+</supgt;集电极区，N<supgt;‑<...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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