一种基于ＬＤＯ集成电路的稳压电路制造技术

本发明专利技术涉及一种基于ＬＤＯ集成电路的稳压电路，包括ＬＤＯ集成电路；所述稳压电路还包括第一三极管、第二三极管和稳压二极管，所述第二三极管的集电极与所述高电平相连，所述第二三极管的发射极与所述ＬＤＯ集成电路的输入端相连，所述第一三极管的集电极与所述第二三极管的集电极相连，所述第一三极管的基极通过第一电阻连接到所述第二三极管的集电极，所述第一三极管的发射极通过第二电阻连接到所述第二三极管的基极，所述第一三极管的基极连接到稳压二极管的阳极，稳压二极管的阴极接地。本发明专利技术通过在ＬＤＯ集成电路上增设合适参数的元件，解决了高电压直流输入，低电压直流输出情况下ＬＤＯ集成电路功耗太大，温升太高的问题。

A voltage stabilizing circuit based on LDO integrated circuit

The invention relates to a voltage stabilizing circuit integrated circuit based on LDO, including the LDO integrated circuit; the voltage stabilizing circuit also comprises a first transistor, second transistor and zener diode, collector of the second transistor and the high level is the second emitter of the transistor and the integrated circuit LDO is connected with the input end of the collector, the first transistor and the second transistor is connected to the collector, the base of the first transistor is connected to the second transistor collector through a first resistor, the first triode through the second resistor connected to the base electrode of the second triode base. The first transistor is connected to the anode of the zener diode, zener diode cathode grounding. The invention solves the problem that the power consumption of the LDO integrated circuit is too large and the temperature rise is too high by adding an appropriate parameter component on the LDO integrated circuit to solve the problem that the power consumption of the integrated circuit is too high under the condition of the high voltage DC input and the low voltage DC output.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种DC-DC降压处理电路，更具体地说，涉及一种基于LDO集成电路的 稳压电路。
技术介绍
在照明领域的应急照明方向中，大量使用到电池和单片机。而如何直接从电池上 引电到单片机的供电端是一个不可避免的问题。在高压降条件下(如电池电压为12V，单片 机电压为3. 3V则压降高达8. 7V)如何保证输出功率更是一个难题。 现有的方案一般是采用一块LDO(low dropout regulator,低压差线性稳压器)集 成电路直接将电压降到所需范围，同时稳压输出。图1为现有LDO集成电路的电路原理图。 如图l所示，电池端具有高电平VCC，而LD0集成电路U1的输入端IN连接到高电平VCC并 通过第一电容CI接地，输出端OUT作为输出端VOUT且通过第二电容C2接地，接地端GND 接地。输出端VOUT可以连接到单片机的供电端。 然而，该方案适用于单片机的工作电流比较小的情况。如果单片机工作电流比 较大，输入电压又比较高，则该方案存在致命缺陷。例如电池电压为15V，单片机工作电 压3. 3V、工作电流40mA， LDO集成电路采用Hotek的HT7533-1，封装为S0T89 (温升参数为 200°C /W)。那么通过简单的计算可以知道使用LDO集成电路上的功耗为0. 468W，温升为 93. 6°C。因此现有方案的LDO集成电路功耗大，温度过高。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于，针对现有LDO集成电路的上述功耗过大温度过高 的缺陷，提供一种基于LDO集成电路的稳压电路。 本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是在LDO集成电路上增设外围元件， 采用合适参数的三极管和稳压二极管元件对输入电压进行稳压，从而构造一种基于LDO集 成电路的稳压电路。 本专利技术提供了一种基于LDO集成电路的稳压电路，包括LDO集成电路，所述LDO集 成电路的输入端连接到高电平，并通过第一电容接地，所述LDO集成电路的输出端作为稳 压电路的输出端且通过第二电容接地；其特征在于 所述稳压电路还包括第一三极管、第二三极管和稳压二极管，所述第二三极管的 集电极与所述高电平相连，所述第二三极管的发射极与所述LDO集成电路的输入端相连， 所述第一三极管的集电极与所述第二三极管的集电极相连，所述第一三极管的基极通过第 一电阻连接到所述第二三极管的集电极，所述第一三极管的发射极通过第二电阻连接到所 述第二三极管的基极，所述第一三极管的基极连接到稳压二极管的阳极，稳压二极管的阴 极接地。 在本专利技术所述的基于LDO集成电路的稳压电路中，所述稳压电路还包括二极管， 所述二极管的阳极与高电平相连，所述二极管的阴极与第二三极管的集电极相连。 在本专利技术所述的基于LDO集成电路的稳压电路中，所述稳压电路还包括第三电 容，所述第三电容一端与所述二极管的阴极相连，一端接地。 实施本专利技术的基于LDO集成电路的稳压电路，具有以下有益效果本专利技术通过在 LDO集成电路输入侧增设合适参数的元件，解决了高电压直流输入，低电压直流输出情况下 LDO集成电路功耗太大，温升太高的问题。同时，其静态电流也在满足了电池对所有从电池 端直接引电的电路静态电流的严格要求。附图说明 下面将结合附图及实施例对本专利技术作进一步说明，附图中 图1是现有LDO集成电路的电路原理图； 图2是本专利技术基于LDO集成电路的稳压电路一较佳实施例的电路原理图。 具体实施例方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对 本专利技术进行进一步详细说明。 请参阅图2，为本专利技术基于LDO集成电路的稳压电路一较佳实施例的电路原理图。 如图2所示，本专利技术提供的基于LD0集成电路的稳压电路，包括LD0集成电路U1部分。在本 实施例，中LD0集成电路U1采用Hotek的HT75XX或者HT75XX-1系列的芯片，封装为S0T89。 需要说明地是本专利技术不仅限于该型号的LDO集成电路，还可以采用其它本领域人员熟知的 LDO集成电路。 其中，所述LD0集成电路U1的输入端IN连接到高电平VCC并通过第一电容C1接 地，输出端OUT作为输出端VOUT且通过第二电容C2接地，接地端GND接地。第一电容Cl 和第二电容C2为滤波和储能的作用。 本专利技术的稳压电路还包括第一三极管Ql 、第二三极管Q2和稳压二极管D2。所述第 二三极管Q2的集电极与所述高电平VCC相连，所述第二三极管Q2的发射极与所述LDO集 成电路U1的输入端IN相连，所述第一三极管Ql的集电极与所述第二三极管Q2的集电极 相连，所述第一三极管Ql的基极通过第一电阻Rl连接到所述第二三极管Q2的集电极，所 述第一三极管Q1的发射极通过第二电阻R2连接到所述第二三极管Q2的基极，所述第一三 极管Ql的基极连接到稳压二极管D2的阳极，稳压二极管D2的阴极接地。 下面对上述电路的工作原理进行分析。如图2所示，Ul采用型号为HT7533-1的 芯片，则其工作原理如下所示，另外，HT7533-1的K脚为散热脚，通常与输入端相连。 第一电阻Rl和稳压二极管D2的串联使用的作用是给第一三极管Ql的基极提供 一个基准电压VI。第一三极管Ql的作用是输出一个基准电压到第二三极管Q2的基极，该 基准电压V2为基准电压VI减去第一三极管Ql的压降(约为Vl-O. 7V)。第二电阻R2的 作用为限制流入第二三极管Q2的电流。第二三极管Q2的作用是输出一个基准电压V3到 LDO集成电路Ul的输入端，该基准电压V3为基准电压V2减去第二三极管Q2的压降(约为 Vl-O. 7V-0. 7V) 。 LD0集成电路U1则根据输入电压V3输出一个电压范围在±3%的高精度 电压到整个电路的输出端V0UT。 此外，所述稳压电路还包括二极管D1，所述二极管D1的阳极与高电平VCC相连，所4述二极管Dl的阴极与第二三极管Q2的集电极相连。二极管Dl的作用为产生正向导通压 降，减少后续电路的电压应力。同时在高电平VCC输入端电压突然被拉低(存在脉冲电流 的时候，VCC会被突然拉低)时，起防止电流从后续电路反向流回VCC的作用。所述稳压电 路还包括第三电容C3，所述第三电容C3 —端与所述二极管D1的阴极相连，一端接地。该第 三电容C3同样起到滤波和储能的作用。 本专利技术的技术关键点是在本专利技术提供的电路基础上根据合理的输入电压范围得 到合适的元件参数。使LD0集成电路U1得输入端得电压降低到可以承受的范围之内。同 时在输出负载为0的时候，该电路保持着极低的静态电流。也可以在一定程度上承受因为 浪涌电流带来的VCC的突然变化。 为了说明本专利技术与现有技术在具体使用效果上的差别，我们分别制作了如图1和 图2所示的两套电路装置来进行比较。设定输入电压VCC二 15V，输出电压为3.3V，输出电 流为40mA。根据需要设定第一电阻Rl的阻值为IOOK，稳压二极管D2的压降为6. 8V。 通过简单的计算可以得知，现有方案(即图2)中LD0集成电路U1上的功耗为 0.468W，温升为93.6t:，静态电流为Ul的静态电流，等于2. 5uA。而本专利技术(即图l)的LDO 集成电路U1的输入端电压为第二三极管Q2的发射极电压V3，而该发射极电压为稳压二极 管D2电压VI (约为6. 8本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于ＬＤＯ集成电路的稳压电路，包括ＬＤＯ集成电路（Ｕ１），所述ＬＤＯ集成电路（Ｕ１）的输入端（ＩＮ）连接到高电平（ＶＣＣ），并通过第一电容（Ｃ１）接地，所述ＬＤＯ集成电路（Ｕ１）输出端（ＯＵＴ）作为稳压电路的输出端（ＶＯＵＴ）且通过第二电容（Ｃ２）接地；其特征在于：所述稳压电路还包括第一三极管（Ｑ１）、第二三极管（Ｑ２）和稳压二极管（Ｄ２），所述第二三极管（Ｑ２）的集电极与所述高电平（ＶＣＣ）相连，所述第二三极管（Ｑ２）的发射极与所述ＬＤＯ集成电路（Ｕ１）的输入端（ＩＮ）相连，所述第一三极管（Ｑ１）的集电极与所述第二三极管（Ｑ２）的集电极相连，所述第一三极管（Ｑ１）的基极通过第一电阻（Ｒ１）连接到所述第二三极管（Ｑ２）的集电极，所述第一三极管（Ｑ１）的发射极通过第二电阻（Ｒ２）连接到所述第二三极管（Ｑ２）的基极，所述第一三极管（Ｑ１）的基极连接到稳压二极管（Ｄ２）的阳极，稳压二极管（Ｄ２）的阴极接地。

【技术特征摘要】
一种基于LDO集成电路的稳压电路，包括LDO集成电路(U1)，所述LDO集成电路(U1)的输入端(IN)连接到高电平(VCC)，并通过第一电容(C1)接地，所述LDO集成电路(U1)输出端(OUT)作为稳压电路的输出端(VOUT)且通过第二电容(C2)接地；其特征在于所述稳压电路还包括第一三极管(Q1)、第二三极管(Q2)和稳压二极管(D2)，所述第二三极管(Q2)的集电极与所述高电平(VCC)相连，所述第二三极管(Q2)的发射极与所述LDO集成电路(U1)的输入端(IN)相连，所述第一三极管(Q1)的集电极与所述第二三极管(Q2)的集电极相连，所述第一三极管(Q1)的基极通过第一电阻(R...

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，叶浩，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]