一种具备过压泄荷功能的磨抛一体晶片减薄机制造技术

本发明专利技术公开了一种具备过压泄荷功能的磨抛一体减薄机，包括U型拖板，U型拖板内侧设有三组Z1导轨，主轴单元通过导轨滑块副与U型拖板连接；U型拖板上方设有两个恒压气缸，恒压气缸的活塞杆与主轴单元上侧固定连接，主轴单元在Z向为浮动安装；主轴单元可由Z2电机驱动沿Z向进给，转台可由X轴电机驱动沿X向移动。本发明专利技术采用恒压气缸作为主轴单元的支撑元件，可调节主轴单元为浮动状态，在磨削过程中若因砂轮堵塞等原因导致进给磨削力大于恒压气缸保持压力时会主动泄荷，主轴单元会沿Z向抬升，防止晶圆被压碎；同时，恒压气缸还可作为主轴单元在Z向进给的压力控制元件，通过调节恒压气缸的进气压力和方向可以实现对晶圆的恒压抛光加工。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体晶片减薄，具体涉及一种具备过压泄荷功能的磨抛一体晶片减薄机及其加工方法。

技术介绍

1、功率半导体器件主要用于电力设备的电能变换和控制电路大功率的电子器件，是能源高效转换领域的核心技术。随着5g通信、航空航天、新能源汽车等新技术的发展，硅基功率器件因其自身材料特性在功能性上已经达到理论极限，已无法满足高新技术对功率器件的更高使用要求。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，具有大禁带宽度、高击穿电场强度、高热导率等优异特性，逐步取代单晶硅材料，成为制造高性能功率器件的关键材料。

2、但与单晶硅相比，碳化硅的硬度高出很多，莫氏硬度达到9.5，仅次于金刚石，碳化硅标准衬底片的厚度为350μm，属于典型的超薄硬脆材料。常规的晶片减薄机在对碳化硅这类超硬晶片进行减薄磨削时，只能通过砂轮主轴电流的大小来监控减薄过程，判断减薄过程是否有异常，并不具备任何预防措施，例如当磨削过程中砂轮堵塞，无法再对晶片表面进行有效的材料去除，而主轴仍向下进给，会导致轴向和径向的磨削力增大，造成晶片被压碎，即便监控到主轴电流的增大而停机，但仍会造成了碎片。目本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具备过压泄荷功能的磨抛一体晶片减薄机，其特征在于：包括床身(1)、X轴电机(2)、X轴导轨(3)、砂轮(4)、主轴(5)、主轴座(6)、Z1轴滑块(7)、Z1轴导轨(8)、恒压气缸(9)、圆柱铰(10)、平衡支架(11)、Z2轴导轨(12)、Z2轴电机(13)、平衡气缸(14)、龙门立柱(15)、Z2轴丝杠螺母副(16)、球铰(17)、U型拖板(18)、晶片(19)、吸盘(20)、转台(21)、X轴丝杠螺母副(22)、X轴滑块(23)、浮动接头(24)、Z2轴滑块(25)和抛光轮(26)；

2.根据权利要求1所述一种具备过压泄荷功能的磨抛一体晶片减薄机，其特征在于：所...

【技术特征摘要】

1.一种具备过压泄荷功能的磨抛一体晶片减薄机，其特征在于：包括床身(1)、x轴电机(2)、x轴导轨(3)、砂轮(4)、主轴(5)、主轴座(6)、z1轴滑块(7)、z1轴导轨(8)、恒压气缸(9)、圆柱铰(10)、平衡支架(11)、z2轴导轨(12)、z2轴电机(13)、平衡气缸(14)、龙门立柱(15)、z2轴丝杠螺母副(16)、球铰(17)、u型拖板(18)、晶片(19)、吸盘(20)、转台(21)、x轴...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱祥龙，李天宇，康仁科，董志刚，高尚，
申请(专利权)人：大连理工大学，
类型：发明
国别省市：