工件研磨速率的响应性概况的制作方法、研磨方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供工件研磨速率的响应性概况的制作方法、研磨方法以及研磨装置，能够准确地取得研磨速率相对于将晶片等工件向研磨垫按压的压力的变化的响应性。在本方法中，使用模拟来制作推定研磨速率响应性概况，该推定研磨速率响应性概况表示研磨速率相对于研磨头(7)的第一压力室内的压力变化的响应性的分布，使用工件的研磨结果来制作实际研磨速率响应性概况，该实际研磨速率响应性概况表示研磨速率相对于第二压力室内的压力变化的响应性的分布，通过将推定研磨速率响应性概况和实际研磨速率响应性概况组合，而制作混合研磨速率响应性概况。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对半导体器件的制造中使用的晶片、基板、面板等工件进行研磨的技术，特别是涉及计算研磨速率相对于将工件向研磨垫按压的压力的变化研磨速率的响应性的技术。

技术介绍

1、化学机械研磨(以下，称为cmp)是一边将包含二氧化硅(sio2)等磨粒的研磨液向研磨垫上供给一边使工件(例如，晶片、基板、或者面板等)与研磨垫滑动接触而研磨该工件的工序。用于进行该cmp的研磨装置具备：对具有研磨面的研磨垫进行支承的研磨台、以及用于将工件向研磨垫按压的研磨头。

2、研磨头构成为利用形成压力室的弹性膜将工件向研磨垫按压。向压力室内供给加压后的气体，气体的压力经由弹性膜施加于工件。因此，将工件向研磨垫按压的力能够通过压力室内的压力来调节。

3、研磨装置像如下那样研磨工件。一边使研磨台以及研磨垫一体地旋转，一边将研磨液(典型地为浆料)向研磨垫的研磨面供给。研磨头一边使工件旋转，一边将工件的表面向研磨垫的研磨面按压。工件在研磨液的存在下与研磨垫滑动接触。通过研磨液的化学作用、研磨液中包含的磨粒以及研磨垫的机械作用，而研磨工件的表面。

4、工本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种制作研磨速率响应性概况的方法，该研磨速率响应性概况表示利用在内侧形成有第一压力室和第二压力室的弹性膜将半导体器件的制造中使用的工件向研磨垫按压时的、研磨速率相对于所述第一压力室和所述第二压力室内的压力变化的响应性的分布，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，

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【技术特征摘要】

1.一种制作研磨速率响应性概况的方法，该研磨速率响应性概况表示利用在内侧形成有第一压力室和第二压力室的弹性膜将半导体器件的制造中使用的工件向研磨垫按压时的、研磨速率相对于所述第一压力室和所述第二压力室内的压力变化的响应性的分布，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：山木晓，八木圭太，中村显，白川滉大，
申请(专利权)人：株式会社荏原制作所，
类型：发明
国别省市：