基于可重用硅中介层的2.5D芯片设计方法及系统技术方案

本发明专利技术提出一种基于可重用硅中介层的2.5D芯片设计方法和系统，包括：通过对应用中所有任务在芯粒库中的可运行芯粒集合求并集，得到候选芯粒集合；根据应用和约束，生成候选芯粒集合中芯粒间互联网络拓扑；热量优化阶段根据互联网络拓扑构建满足预设系统温度指标的中间芯粒布局，整体优化阶段根据预设性能指标对中间芯粒布局进行优化，得到最终芯粒布局；获取芯片中可重用硅中介层的可配置芯粒间互联网络，将最终芯粒布局映射至芯片中可重用硅中介层的可配置组件，得到用于执行应用的2.5D芯片。本发明专利技术能够根据应用、约束与优化目标，生成最优的芯粒组合、芯粒间互联网络拓扑、芯粒布局以及可重用硅中介层配置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子芯片自动化设计领域，具体涉及一种针对可重用硅中介层的2.5d系统设计方法。

技术介绍

1、摩尔定律的放缓使得业界需要利用先进的封装技术来维持芯片性能的持续提升。与将片上系统制造在单个大面积的裸片(die)上的传统方法不同，2.5d(2.5维)封装技术将裸片拆分为多个小面积的芯粒(chiplet)单独生产，并将它们安装在一块更大硅中介层上，组成2.5d系统。硅中介层在作为封装载体的同时，也为上方的芯粒提供电源、时钟、外部输入输出以及芯粒间数据传输信号。根据硅中介层能否在不同的系统中通用，硅中介层可分为可重用硅中介层与定制硅中介层。

2、现有的2.5d系统设计方法针对的是基于定制硅中介层的2.5d系统。需要根据系统的电源、时钟、外部输入输出以及芯粒间数据传输的需求，对微凸块(microbump)、硅通孔(tsv)、芯粒间互联网络等部件进行定制化设计。

3、在可重用硅中介层中，微凸块、硅通孔、芯粒间互联网络等部件已经被提前制造，在封装过程中需要按照可重用硅中介层的规范进行装配，因此现有的针对定制硅中介层的2.5d系统设计本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于可重用硅中介层的2.5D芯片设计方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的一种基于可重用硅中介层的2.5D芯片设计方法，其特征在于，该芯粒选择步骤包括：

3.如权利要求1所述的一种基于可重用硅中介层的2.5D芯片设计方法，其特征在于，该拓扑生成步骤包括：

4.如权利要求1所述的一种基于可重用硅中介层的2.5D芯片设计方法，其特征在于，该芯粒布局步骤包括：

5.一种基于可重用硅中介层的2.5D芯片设计系统，其特征在于，包括：

6.如权利要求5所述的一种基于可重用硅中介层的2.5D芯片设计系统，其特征在于，该芯粒选...

【技术特征摘要】

1.一种基于可重用硅中介层的2.5d芯片设计方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的一种基于可重用硅中介层的2.5d芯片设计方法，其特征在于，该芯粒选择步骤包括：

3.如权利要求1所述的一种基于可重用硅中介层的2.5d芯片设计方法，其特征在于，该拓扑生成步骤包括：

4.如权利要求1所述的一种基于可重用硅中介层的2.5d芯片设计方法，其特征在于，该芯粒布局步骤包括：

5.一种基于可重用硅中介层的2.5d芯片设计系统，其特征在于，包括：

6.如权利要求5所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李福平，王颖，李华伟，韩银和，李晓维，
申请(专利权)人：中国科学院计算技术研究所，
类型：发明
国别省市：