六角形硅片的制造方法技术

本发明专利技术所公开的是一种六角形硅片的制造方法，以经过合金化处理的扩散片为加工对象，且依次包括如下步骤：上胶，光刻，显影，坚膜，酸腐蚀，清洗，剥离；以其所述光刻步骤所采用的基准板，是具有六角形蜂窝状图纹的基准板，且其具有六角形蜂窝状图纹区的边缘，与所述扩散片的边缘之间保持距离；所述光刻步骤，是将扩散片布置在２块经校整重合其六角形蜂窝状图纹的基准板之间，所实施的双面同步光刻为主要特征。本发明专利技术具有产成品成型正确，生产成本低、原料硅片利用率高等特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，制得的六角形硅片特别适用于 高压、大电流的二极管或是汽车^f及管的领域中。
技术介绍
目前，电器行业朝着高集成、高电压、大功率的方向A艮。由于市场上 对硅片这一原料供小于求，使得硅片的商业价格较高。而现有，是通过对经过^^^r化处理的扩散片，实施划片(如附图3所示) 之后才能制得产品。现有制造方法存在下述缺点①由于通过划片后制得六 角形硅片，因而制造步骤复杂、易损伤硅片；②由于划片后制得六角形硅片 的外周具有若干个三角形，^f吏得硅片的利用率低；不仅生产成本高，而iLit 成硅片资源的浪费。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种生产成本低、原料硅片利用率高的六角形硅 片的制造方法。实现本专利技术目的的技术方案是 一种，以经过合 金化处理的扩散片为加工对象，且依次包括如下步骤上胶，光刻，显影， 坚膜，酸腐蚀，清洗，剥离；其创新点在于所述光刻步骤所采用的基准板， 是具有六角形蜂窝状图紋的基准板，且其具有六角形蜂窝状图紋区的边缘， 与所达扩散片的边缘之间保持距离；所述光刻步骤，是将所述扩散片布置在 2块经校整重合其六角形蜂窝状图紋的基准板之间，所实施的双面同步光刻。上述方法中，所述光刻步骤的光刻时间控制在35-90秒范围内。上述方法中，所述显影步骤所用的显影液是RFX-2277显影液，且其清 滤时间控制在2~4分钟范围内；所用漂洗液是RFP-2202漂洗液，且其清滤 时间控制在1~2分钟范围内。上述方法中，所述坚膜步骤是将显影后的扩散片，^t^烘箱内烘焙25~35 分钟，且其温度控制在135 140。C范围内。上述方法中，所述酸腐蚀步骤所用的腐蚀液是硝酸氢氟酸水乙酸=5: 1~4: 3容积比的混合液。本专利技术的技术效果是由于以经过合金化处理的扩散片为加工对象，将 扩散片布置在2块经校整重合其六角形蜂窝状图紋的基准板之间，所实施的 双面同步光刻，因而扩散片的上下表面直接得到相互重合的六角形的光刻图3形，经过g蚀和清、;^，可直接通itA工剥离得到六角形硅片，即不需划片就可得到产品。本专利技术制造方法，所具有的产成品成型正确，不易损伤石圭 片以及原料硅片的利用率高，生产成本低等特点，是显而易见的。 附图说明图1是本专利技术的一种六角形硅片未经剥离前的状态参考图；图中所示l-l为存在于扩散片1边缘的环箍。由于环箍的存在，可令众多的六角形硅片不易散架，而便于M蚀步骤的实施；图2是本专利技术采用基准板光刻的示意图，图中所示1为扩散片，2为基 准板，3为光刻夹具；图3是已有技术中经划片后的六角形硅片状态参考图。 具体实施例方式以下结合附图及实施例，对本专利技术作进一步的详细说明，但不局限于此。 实施例所用原料除另有说明外，均为半导体行业常M/f吏用的原料且均为 市售品。其中所用光刻月^:苏州瑞红RFJ-210型号的光刻胶。 实施例 一种，请参读附图1、 2. 依次包^^。下步骤① 上胶以经过已有技术合金化处理的扩散片11为加工对象,在进行清洗和烘干 后，放在匀胶台的吸盘上，调整位置后均匀的滴上光刻胶，按下启动键进行 匀胶。待自然风干后再将上月1^的扩散片，》t/v 110。C的烘箱内进行烘干， 时间为30分钟；② 光刻首先将上下2 g准板2， ^t7v光刻夹具3内；经调^f吏得上下2 M 准板2的六角形蜂窝状图紋重合定位后，再将由步骤①得到上M的扩散片 1布置在2 M准板2之间，然后再将光刻夹具3放在光刻机的吸盘上进行 双面光刻。按下光刻键，时间为35 90秒。为了防止众多的六角形珪片不易 散架，具有六角形蜂窝状图紋区的边缘，与所述扩散片的边缘之间的距离， 保持在0.5~1.0mm范围内；③ 显影对由步骤②得到光刻后的扩散片1进行显影。将扩散片1》t^影液中 清滤，且时间控制在2 4分钟范围内；其中显影步骤所用的显影液是苏州瑞 红RFX-2277型号的显影液，且其清滤时间控制在24分钟范围内；然后再 方Ov漂洗液清滤，且时间控制在1 2分钟范围内，其中所用漂洗液是苏州瑞 红RFP-2202型号的漂洗液；④ 坚膜将由步骤③得到显影后的扩散片1， ；^^烘箱内烘焙25 30分钟，且其 温度控制在135 140。C范围内；将由步骤④得到坚膜后的扩散片1冷却lO分钟后,方tA装有腐蚀液的塑 料容器内进行M蚀，腐蚀时间控制在5 14分钟范围内；所采用的腐蚀液 是硝酸氢氟酸水乙酸=5: 1~4: 3容积比的混合液； 清洗将由步骤⑤得到M蚀后的扩散片1, ^t^装有去离子水的7joff内清洗 8~10分钟； ⑦剥离将由步骤⑥清洗后的扩散片1实;^A工剥离，即可得到本专利技术制成品六 角形;圭片。本专利技术小试效果显示，采用本专利技术可比已有技术划片法，提高原料珪片 利用率15%左右，且所制取的六角形石圭片边缘平整，成型正确。本专利技术在变更其基准板图紋形状后，可以制造其它各种几何形状的硅 片。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种六角形硅片的制造方法，以经过合金化处理的扩散片为加工对象，且依次包括如下步骤：上胶，光刻，显影，坚膜，酸腐蚀，清洗，剥离；其特征在于：　ａ、所述光刻步骤所采用的基准板，是具有六角形蜂窝状图纹的基准板，且其具有六角形蜂窝状图纹区的边缘， 与所述扩散片的边缘之间保持距离；　ｂ、所述光刻步骤，是将所述扩散片布置在２块经校整重合其六角形蜂窝状图纹的基准板之间，所实施的双面同步光刻。

【技术特征摘要】
1、一种六角形硅片的制造方法，以经过合金化处理的扩散片为加工对象，且依次包括如下步骤上胶，光刻，显影，坚膜，酸腐蚀，清洗，剥离；其特征在于a、所述光刻步骤所采用的基准板，是具有六角形蜂窝状图纹的基准板，且其具有六角形蜂窝状图纹区的边缘，与所述扩散片的边缘之间保持距离；b、所述光刻步骤，是将所述扩散片布置在2块经校整重合其六角形蜂窝状图纹的基准板之间，所实施的双面同步光刻。2、 根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述光刻步骤的光刻时间 控制在35 90秒范围内。3、 才財...

【专利技术属性】
技术研发人员：王兴龙，
申请(专利权)人：常州银河半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：32[]