【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体湿制程，特别是一种高深宽比图形的深孔去胶工艺方法。
技术介绍
1、半导体湿制程设备中，随着工艺的不断进步，高深宽比图形工艺越来越多，对于去胶工艺的要求越来越高。现有的去胶方式，主要是浸泡去胶，高压去胶，常压喷淋去胶，这些方式无法对应高深宽比图形，药水因为图形张力原因，无法进入深孔图形内部，会有工艺结束后残胶情况。
技术实现思路
1、本专利技术为了有效的解决上述
技术介绍
中的问题，提出了一种高深宽比图形的深孔去胶工艺方法。
2、具体技术方案如下；
3、一种高深宽比图形的深孔去胶工艺方法，其特征在于：包括以下步骤：
4、步骤1：将带有深孔图形的基板放在载台上，载台吸附住基板，并带着一起旋转；
5、步骤2：将兆声发生板移到基板上方，两者保持平行，兆声发生板下表面距离基板上表面1-2mm范围内；
6、步骤3：基板上喷洒去胶液(兆声板边缘有去胶液喷嘴)，使兆声发生板与基板之间的空间填充去胶液，并开启兆声功能，作用一定时间(...
【技术保护点】
1.一种高深宽比图形的深孔去胶工艺方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的高深宽比图形的深孔去胶工艺方法，其特征在于，步骤1中，载台的转速小于100rpm。
3.根据权利要求1所述的高深宽比图形的深孔去胶工艺方法，其特征在于，IPA和DIW流量在500ml/min。
【技术特征摘要】
1.一种高深宽比图形的深孔去胶工艺方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的高深宽比图形的深孔去胶工艺方法，其特征在于，步骤1...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘翠，王淑梅，包玉曼，蒋嘉，
申请(专利权)人：浙江洁芯微电子设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。