用于在远紫外光刻中将同步加速器用作源的方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术的一个实施方式提供一种用于在远紫外光刻（ＥＵＶＬ）系统中协助将同步加速器用作源的方法和装置，其中同步加速器的能量随着时间减少。ＥＵＶＬ系统可以包括步进器，其使用步进重复方式或步进扫描方式来将图案从标线片转移到晶片上。要求晶片以基本恒定的剂量曝光。在操作期间，系统可以测量同步加速器电流，并基于同步加速器电流来调整步进器的曝光持续时间或步进器的扫描速度，使得晶片以基本上恒定的剂量曝光。注意，使用同步加速器电流来控制步进器可以使得ＥＵＶＬ系统能够使晶片以基本上恒定的剂量曝光，而无需使用用来监控源的能量的附加设备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体上涉及半导体制造和加工。更具体地，本专利技术涉及用于在远紫外光刻中将同步加速器用作源的方法和装置。
技术介绍
计算技术的快速发展已经使得每秒钟可以对有时大至数万亿字节的数据集执行 数万亿次计算操作。这些发展很大程度上归功于半导体制造技术的极大发展，这些半导体 制造技术使得可以将数千万器件集成在单个芯片上。 在可被印刷的最小特征尺寸方面，传统光刻工艺接近它们的物理极限。因此，半导 体行业正积极地考虑将使得特征尺寸进一步小型化的各种下一代技术。比较有希望的技术 之一是远紫外光刻(EUVL)，其使用约13nm的光(下文称为13nm光)。 当今的EUVL系统并未准备好用于大规模制造，因为照明源、光刻胶和掩模存在严 重的技术问题。EUVL照明源存在两个重要问题功率和可靠性。正被考虑用于EUVL的远 紫外源能够以慢的吞吐速率将5-10mJ/mm2递送到晶片表面。具体地，通常使用的源通过利 用激光射击金属带或气体而产生EUVL光，其将引起产生13nm脉冲。然而，脉冲速率低并且 该过程并不十分干净，这将使得此源寿命短且功率低。 EUVL中的光刻胶问题也直接与源的问题有关。首先，大本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于在远紫外光刻（ＥＵＶＬ）系统中将同步加速器用作源的方法，其中所述同步加速器的能量随着时间减少，其中所述ＥＵＶＬ系统包括使用步进重复方式将图案从标线片转移到晶片上的步进器，其中所述步进器使用所述标线片来曝光所述晶片的区域，并在曝光了所述区域后，所述步进器将所述晶片移动到新位置，使得所述步进器可以曝光所述晶片上的另一区域，并且其中要求所述晶片的每个区域以基本恒定的剂量曝光，所述方法包括：测量同步加速器电流，其中所述同步加速器包括存储循环电子的存储环，并且其中所述循环电子产生所述同步加速器电流；以及基于所述同步加速器电流来调整所述步进器的曝光持续时间，其中所述步进器的曝光持续时间与所述同步加...

【技术特征摘要】
US 2008-10-14 12/251,198一种用于在远紫外光刻(EUVL)系统中将同步加速器用作源的方法，其中所述同步加速器的能量随着时间减少，其中所述EUVL系统包括使用步进重复方式将图案从标线片转移到晶片上的步进器，其中所述步进器使用所述标线片来曝光所述晶片的区域，并在曝光了所述区域后，所述步进器将所述晶片移动到新位置，使得所述步进器可以曝光所述晶片上的另一区域，并且其中要求所述晶片的每个区域以基本恒定的剂量曝光，所述方法包括测量同步加速器电流，其中所述同步加速器包括存储循环电子的存储环，并且其中所述循环电子产生所述同步加速器电流；以及基于所述同步加速器电流来调整所述步进器的曝光持续时间，其中所述步进器的曝光持续时间与所述同步加速器电流成反比，并且其中调整所述步进器的曝光持续时间以使得所述晶片以基本恒定的剂量曝光。2. 根据权利要求1所述的方法，其中所述EUVL系统包括准直仪，用于生成基本上矩形 的束。3. 根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包括校准所述EUVL系统，以确定比例常 数k，其中所述基本恒定的剂量D、同步加速器电流I和所述步进器的曝光持续时间T由D =k* I 'T相关联。4. 根据权利要求1所述的方法，其中调整所述步进器的曝光持续时间包括重复地测 量所述同步加速器电流，并且一旦所述晶片已经以所述基本恒定的剂量曝光，则终止所述 曝光。5. 根据权利要求1所述的方法，其中使用所述同步加速器电流来调整所述步进器的曝 光持续时间使得所述EUVL系统能够将所述晶片以所述基本恒定的剂量曝光，而无需使用 用来监控所述源的能量的附加设备。6. —种远紫外光刻(EUVL)系统，包括同步加速器，其用作远紫外辐射的源，其中所述源的能量随着时间减少；步进器，其使用步进重复方式将图案从标线片转移到晶片上，其中所述步进器使用所 述标线片来曝光所述晶片的区域，并且在曝光所述区域后，所述步进器将所述晶片移动到 新的位置，使得所述步进器能够曝光所述晶片的另一区域，并且其中要求所述晶片的每个 区域以基本恒定的剂量曝光；以及计算机，其包括处理器和存储器，其中所述存储器存储指令，当由所述处理器执行时， 所述指令使得所述计算机接收同步加速器电流的测量结果，其中所述同步加速器包括存储循环电子的存储环， 所述循环电子产生所述同步加速器电流，以及其中所述测量结果是在不同的时间点获得；使用所述同步加速器电流的测量结果来确定所述晶片是否已经以所述基本恒定的剂 量曝光，其中所述步进器的曝光持续时间与所述同步加速器电流成反比；以及响应于确定所述晶片已经以所述基本恒定的剂量曝光，将终止曝光消息发送至所述步 进器，期望该消息使得所述步进器停止曝光所述晶片。7. 根据权利要求6所述的EUVL系统，其中所述EUVL系统包括准直仪，用于生成基本上 矩形的束。8. 根据权利要求6所述的EUVL系统，其中所述EUVL系统被校准以确定比例常数k，其中所述基本恒定的剂量D、同步加速器电流I和所述步进器的曝光持续时间T由D = k *I *T 相关联。9. 根据权利要求6所述的EUVL系统，其中使用所述同步加速器电流的测量结果来确定 所述晶片是否已经以所述基本恒定的剂量曝光包括使用所述同步加速器电流的测量结果来确定增量剂量值； 使用所述增量剂量值来确定合计剂量值；以及 将所述合计剂量值与所述基本恒定的剂量相比较。10. 根据权利要求6所述的EUVL系统，其中使用所述同步加速器电流来控制所述步进 器的曝...

【专利技术属性】
技术研发人员：LS梅尔文三世，
申请(专利权)人：新思科技有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]