【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于ic载板,更具体地说,是涉及一种ic载板的制备工艺及ic载板。
技术介绍
1、ic载板是一种用于封装集成电路芯片的基板,因其成本相对较低,制程精度较高,而主要应用于5g通信、人工智能、云计算等领域;现有技术中,需要在有机基板上下两面压合铜箔,然后在有机基板上制备通孔,且为了保证通孔的上下互连,需要利用化镀工艺在侧壁上沉铜,沉铜的厚度远远不能使得通孔充满铜,为了保证有机基板的强度和结构稳定,化镀完成后的通孔需要塞树脂浆料,以增加其结构稳定,填充树脂后,通孔顶端和底部有树脂露出,因此还需要利用化镀,在树脂表面上沉铜,以保证通孔处向上/向下的电气互连,经过上述过程完成了通孔处的工艺;而后再在有机基板设置覆盖层,并打盲孔以设置内部线路。
2、但是,采用传统的有机基板的机械强度和热导率较低,在后续压合线路覆盖层的过程中,容易受到热影响,且ic载板的翘曲度较大,可靠性较低;且由于通孔内部填充有树脂材料,而仅通过树脂表面沉铜进行导电,使得上下层电气互联不稳定。
技术实现思路
1
...【技术保护点】
1.IC载板的制备工艺,其特征在于,包括以下步骤:
2.如权利要求1所述的IC载板的制备工艺,其特征在于,所述第一导电金属层(12)和所述第二导电金属层(13)的金属成分主要包括钛元素和铜元素。
3.如权利要求1或2所述的IC载板的制备工艺,其特征在于,通过磁控溅射工艺沉积所述第一导电金属层(12)和所述第二导电金属层(13);所述第一导电金属层(12)和所述第二导电金属层(13)的厚度不超过1μm。
4.如权利要求1所述的IC载板的制备工艺,其特征在于,采用机械或者激光钻孔的方式在所述陶瓷基板(1)上加工所述第一通孔(11);
...【技术特征摘要】
1.ic载板的制备工艺,其特征在于,包括以下步骤:
2.如权利要求1所述的ic载板的制备工艺,其特征在于,所述第一导电金属层(12)和所述第二导电金属层(13)的金属成分主要包括钛元素和铜元素。
3.如权利要求1或2所述的ic载板的制备工艺,其特征在于,通过磁控溅射工艺沉积所述第一导电金属层(12)和所述第二导电金属层(13);所述第一导电金属层(12)和所述第二导电金属层(13)的厚度不超过1μm。
4.如权利要求1所述的ic载板的制备工艺,其特征在于,采用机械或者激光钻孔的方式在所述陶瓷基板(1)上加工所述第一通孔(11);
5.如权利要求1所述的ic载板的制备工艺,其特征在于,在步骤s4中所述的设置所述感光干膜层(14)包括:将感光干膜覆盖在所述刻...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨鑫,张鹤,谢岳,杨振涛,刘林杰,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第十三研究所,
类型:发明
国别省市:
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