图像传感器制造技术

一种图像传感器包括：具有彼此相反的第一表面和第二表面的基板，基板包括在平行于第一表面并且彼此交叉的第一方向和第二方向上布置的多个像素区；深器件隔离图案，延伸到基板中并且在所述多个像素区之间；以及颜色分离透镜阵列，在基板的第二表面上。颜色分离透镜阵列包括在基板的第二表面上的间隔物层和在间隔物层上彼此水平地间隔开的多个纳米柱。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及图像传感器，更具体地，涉及包括颜色分离透镜阵列的图像传感器。

技术介绍

1、图像传感器是用于将光学图像转换成电信号的半导体器件。随着计算机和通信产业的发展，在诸如数码相机、摄像机、个人通信系统(pcs)、游戏机、安全相机、医疗微相机的各种领域中，对高性能图像传感器的需求日益增长。图像传感器可以被分类为电荷耦合器件(ccd)图像传感器和互补金属氧化物半导体(cmos)图像传感器中的任意一种。cis是cmos图像传感器的缩写。cis可以包括二维布置的多个像素。每个像素可以包括光电二极管(pd)。光电二极管可以将入射光转换成电信号。

2、通常，图像传感器可以显示具有各种颜色的图像或者通过使用滤色器感测入射光的颜色。然而，每个滤色器可以吸收除对应颜色的光以外的其他颜色的光，因此光利用效率可能降低。近来，已经提出了使用颜色分离元件代替滤色器的方法来提高图像传感器的光利用效率。颜色分离元件可以通过使用具有不同波长的光的衍射或折射特性来分离入射光的颜色，并且可以通过使用其折射率和形状根据波长调节方向性。由颜色分离元件分离的颜色可以分别行进到对应的像本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种图像传感器，包括：

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述多个纳米柱包括具有比所述间隔物层的折射率高的折射率的材料。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述颜色分离透镜阵列进一步包括：电介质层，在所述间隔物层上并且在所述多个纳米柱之间的空间中，以及

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述深器件隔离图案在垂直于所述基板的所述第一表面的第三方向上延伸到所述基板中，以及

5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中所述深器件隔离图案具有在所述第三方向上彼此相反的第三表面和第四表面，以及

6.根据权利要求1所述的图...

【技术特征摘要】

1.一种图像传感器，包括：

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述多个纳米柱包括具有比所述间隔物层的折射率高的折射率的材料。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述颜色分离透镜阵列进一步包括：电介质层，在所述间隔物层上并且在所述多个纳米柱之间的空间中，以及

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述深器件隔离图案在垂直于所述基板的所述第一表面的第三方向上延伸到所述基板中，以及

5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中所述深器件隔离图案具有在所述第三方向上彼此相反的第三表面和第四表面，以及

6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述多个像素区中的每个包括：在平行于所述基板的所述第一表面的方向上彼此相邻的第一光电转换区和第二光电转换区，以及

7.根据权利要求6所述的图像传感器，其中所述深器件隔离图案的所述延伸部将所述第一光电转换区和所述第二光电转换区彼此完全隔离。

8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中当在平面图中观察时，所述深器件隔离图案在所述第一方向和所述第二方向上延伸以围绕所述多个像素区中的每个，

9.根据权利要求8所述的图像传感器，其中所述深器件隔离图案的所述延伸部从所述深器件隔离图案的一部分在所述第二方向上延伸，以连接到所述深器件隔离图案的另一部分，并且将所述第一光电转换区和所述第二光电转换区彼此完全隔离。

10.根据权利要求8所述的图像传感器，其中所述深器件隔离图案的所述延伸部包括：在所述第二方向上彼此间隔开的第一延伸部和第二延伸部，以及

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【专利技术属性】
技术研发人员：崔哲秀，金范锡，李允基，金政勋，朴钟勋，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：