【技术实现步骤摘要】
公开的实施例涉及一种半导体封装件和一种制造该半导体封装件的方法。更具体地，实施例涉及一种用于检查包括通过混合接合工艺堆叠的多个芯片的半导体封装件中的缺陷的设备以及使用该设备制造半导体封装件的方法。
技术介绍
1、为了制造其中堆叠有至少两个半导体芯片的多芯片封装件，可以通过执行管芯到晶圆接合工艺将管芯接合在晶圆上。此时，在管芯与晶圆之间的接合界面和/或管芯之间的接合界面处可能发生诸如空隙的缺陷。在现有技术中，超声扫描显微镜(sat)可以用于检查堆叠的半导体管芯的接合界面处的空隙。然而，在sat的情况下，由于作为样本的管芯堆叠体置于液体内部，然后检查存在或不存在空隙，因此在测试之后吸附在管芯表面上的水可能在随后的退火工艺期间引起额外的空隙，或者sat仅可以在半导体管芯堆叠完成之后应用。
技术实现思路
1、公开的实施例提供了一种用于半导体封装件的缺陷检查设备，其能够在通过混合接合工艺堆叠半导体管芯时改善工艺良率。
2、实施例提供了一种使用缺陷检查设备制造半导体封装件的方法。
<...【技术保护点】
1.一种制造半导体封装件的方法，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，向第二半导体管芯的表面施加热的步骤包括以下步骤：在第二半导体管芯的表面上照射形成在第一方向上延伸的线形照射区域的光。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，照射光的步骤包括以下步骤：将来自激光器或卤素灯的光照射到第二半导体管芯的表面上。
4.根据权利要求2所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
6.根据权利要求4所述的方法，其中，在所述至少一个方向上移动平台的步骤包括...
【技术特征摘要】
1.一种制造半导体封装件的方法，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，向第二半导体管芯的表面施加热的步骤包括以下步骤：在第二半导体管芯的表面上照射形成在第一方向上延伸的线形照射区域的光。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，照射光的步骤包括以下步骤：将来自激光器或卤素灯的光照射到第二半导体管芯的表面上。
4.根据权利要求2所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
6.根据权利要求4所述的方法，其中，在所述至少一个方向上移动平台的步骤包括以下步骤：基于特定位置在预设距离内往复移动平台。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，测量第二半导体管芯的施加有热的表面上的温度变化的步骤包括以下步骤：使用热成像相机检查从第二半导体管芯的表面发射的红外线以生成热图像。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，检查接合界面的状态的步骤包括以下步骤：通过测量温度变化来确定第一半导体管芯与第二半导体管芯之间是否存在空隙。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，通过混合接合来执行将第二半导体管芯接合到第一半导体管芯的步骤。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，第一半导体管芯包括第一钝化层，并且第二半导体管芯包括接合到第一钝化层的第...
【专利技术属性】
技术研发人员：金柱鲁，李民雨，韩一宁，李周炯，任京彬，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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