电路装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种防止看到金属细线且为薄型的电路装置及其制造方法。电路装置（１０）主要包括：基板，其由第１基板（１２）和第２基板（１４）构成；焊盘（３４），其形成在第２基板的上表面上；半导体元件（２４），其被固定在第１基板（１２）的上表面上；金属细线（２２），其将半导体元件（２４）和焊盘（３４）连接起来；以及密封树脂（１８），其覆盖半导体元件（２４）和金属细线（２２）来进行树脂密封。并且，密封树脂（１８）所包含的位于最表层的填料（２０）被构成密封树脂（１８）的树脂材料覆盖。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体元件被混入有填料的密封树脂薄薄地覆盖的。
技术介绍
电路装置的制造工序大致分为将期望的元件组装在一片半导体晶圆的表面上的 前工序和对分割半导体晶圆而得到的半导体元件进行封装的后工序。近年来，正在开发如 下制造方法在一次密封工序中利用树脂密封多个电路装置，通过切割对密封后的树脂密 封体进行分割来得到各电路装置(参照下面所述的专利文献1)。 参照图8，说明上述电路装置的制造方法。图8的各图为表示各工序的剖视图。 参照图8的(A)，首先，在基板100的上表面配置构成多个电路装置的导电图案 102和半导体元件106。基板100由陶瓷或树脂材料构成，在基板100的上表面形成有多个 导电图案102。在此，作为一个电路装置的单元108由多个导电图案102构成。并且，各单 元108的导电图案102上固定有半导体元件106，半导体元件106的电极和导电图案102经 由金属细线104连接起来。 参照图8的(B)，以覆盖多个单元108的方式在基板100的上表面涂敷密封树脂 110。密封树脂110由填充了包括二氧化硅(Si02)等粒状填料的树脂构成，以液态或者半 固态的状态供给到基板100的上表面之后被固化。 下面，参照图8的(C)，对密封树脂110的上表面进行磨削，由此，使密封树脂110 变薄，并且，使密封树脂110的上表面平坦化。 下面，参照图8的(D)，在各单元108的边界通过切割分割密封树脂110和基板 IOO，得到分别独立的电路装置。 通过上述工序，由于一次性地制造多个电路装置，因此，具有提高电路装置的生产 率的优点。 专利文献1 :日本特开2000-164609号公报 然而，在上述制造方法中，存在如下问题当为了使所制造的电路装置成为薄型而 使图8的(C)所示的密封树脂110的厚度变薄时，有可能从外侧透过覆盖树脂110看到金 属细线104等。 具体地说，进行树脂密封所使用的密封树脂110由填充了填料(由二氧化硅等构 成)的树脂材料构成。并且，二氧化硅是一种容易透过光的透明材料。因而，如果磨削密封 树脂110的上表面而使覆盖金属细线104的密封树脂110的厚度变薄为50ym左右，则来 自外部的光容易经由填料到达金属细线104。 图9是拍摄以往类型的电路装置的截面的图像，拍摄有金属细线104以及覆盖金 属细线的密封树脂110。在该图像中，用虚线表示密封树脂110的上表面，用白色的椭圆标 示出一部分从密封树脂110的上表面露出到外部的填料。 参照该图像，覆盖金属细线104的密封树脂110的厚度为例如50iim左右，该厚度有可能比填料的直径小。当形成该厚度时，金属细线104出现仅由填料而不是由树脂材料 覆盖的部位。并且，由于填料为比树脂材料更透明的材料，因此，来自外部的光容易经由填 料到达金属细线104，其结果从外侧能够看到金属细线104。这样，如果从外侧看到金属细 线104则会使外观变差。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述问题而完成的，本专利技术的目的在于提供一种防止看到金属细线 并形成薄型的。 本专利技术的电路装置，其特征在于，包括半导体元件；导电部件，其经由金属细线与上述半导体元件相连接；以及密封树脂，其由混入了填料的树脂材料构成，用于对上述半 导体元件和上述金属细线进行树脂密封，使覆盖上述金属细线的最顶部的上述密封树脂的厚度比上述填料的最大直径小，并且位于最表层的上述填料被上述树脂材料覆盖。 本专利技术的电路装置的制造方法，其特征在于，包括如下工序经由金属细线将形成在半导体元件的上表面上的电极和导电部件连接起来的工序，以及通过使用了注塑模具的注塑成形，用密封树脂覆盖上述半导体元件和上述金属细线的工序，该密封树脂由混入了填料的树脂材料构成，在进行覆盖的工序中，使覆盖上述金属细线的最顶部的上述密封树脂的厚度比上述填料的最大直径小，位于最表层的上述填料被上述树脂材料覆盖。 根据本专利技术，使覆盖金属细线的最顶部的密封树脂的厚度比密封树脂所包含的填料的最大直径小，并且，位于最表层的填料被树脂覆盖。因此，由于透明的填料没有露出到外部，能够抑制从外侧看到金属细线的不良情况。附图说明 图1是表示本专利技术的电路装置的图，(A)为剖视图，(B)为放大后的剖视图，(C)为 拍摄电路装置的截面而得到的图像。 图2是表示本专利技术的电路装置的图，(A)为立体图，(B)和(C)为放大后的剖视图。 图3是表示本专利技术的电路装置的制造方法的图，(A)为俯视图，(B)和(C)为剖视图。 图4是表示本专利技术的电路装置的制造方法的图，(A)和(B)为剖视图。 图5是表示本专利技术的电路装置的制造方法的图，(A)为剖视图，(B)为俯视图，(C)为放大后的剖视图。 图6是表示本专利技术的电路装置的制造方法的图，(A)为俯视图，(B)为放大后的剖 视图。 图7是表示本专利技术的电路装置的制造方法的剖视图。 图8的(A)至(D)是表示
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的电路装置的制造方法的剖视图。 图9是拍摄
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的电路装置而得到的图像。具体实施例方式参照图l，说明本实施方式的电路装置10的结构。图1的(A)为表示电路装置10 的剖视图，图1的(B)为局部放大剖视图，图1的(C)为拍摄实际制造的电路装置10的截面而得到的图像。 参照图1的(A)，电路装置10主要包括基板，其由第1基板12和第2基板14构 成；焊盘34，其形成在第2基板14的上表面上；半导体元件24，其被固定在第1基板12的 上表面上；金属细线22，其将半导体元件24和焊盘34连接起来；以及密封树脂18，其覆盖 半导体元件24和金属细线22来进行树脂密封。 第1基板12是由陶瓷或者树脂材料等绝缘材料构成的基板。第1基板12的平面 尺寸为稍微大于半导体元件24的程度，厚度为例如lOOym左右。电路装置10的下部的左 右端部通过切割形成为矩形状。另外，在第1基板12的下表面形成有由铜箔等构成的外部 电极36，安装电路装置10时，在外部电极36上熔敷焊锡等导电性粘结材料后进行面安装。 第2基板14被层叠在第1基板12的上表面两端，在上表面形成有焊盘34。另外， 第2基板14的材料和厚度与第1基板12相同即可。在形成在第2基板14的上表面的焊 盘34上连接有由金或铝构成的金属细线22。 另外，形成在第2基板14的上表面上的焊盘34和设置在第1基板12的下表面上 的外部电极36经由连续贯穿两基板设置的通孔16而被连接。金或铜等导电材料被埋入该 通孔16中，另外，在基板上将包含钨等的导电浆(paste)形成为规定形状，通过镀金膜覆盖 该导电浆来形成设置在第2基板14上的焊盘34、设置在第1基板12上的外部电极36。 半导体元件24是M0SFET或双极性晶体管等的分立的晶体管或者IC等。半导体 元件24的下表面通过焊锡等导电性粘结材料或绝缘性粘结材料被固定在第1基板12的上 表面上。在此，在第1基板12上安装有一个半导体元件24，但是，也可以在第1基板12的 上表面固定有多个元件。另外，也可以在第1基板12的上表面设置岛(island)，在该岛的 上表面安装半导体元件24。 金属细线22是由金或铝构成的直径为10 P m左右的细线，用于将设在半导体元件 24的上表面上的电极和设置在第2基板14的上表面上的焊盘34电连接。在本实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电路装置，其特征在于，包括：半导体元件；导电部件，其经由金属细线与上述半导体元件相连接；以及密封树脂，其由混入了填料的树脂材料构成，用于对上述半导体元件和上述金属细线进行树脂密封，使覆盖上述金属细线的最顶部的上述密封树脂的厚度比上述填料的最大直径小，并且位于最表层的上述填料被上述树脂材料覆盖。

【技术特征摘要】
JP 2008-9-30 2008-252997一种电路装置，其特征在于，包括半导体元件；导电部件，其经由金属细线与上述半导体元件相连接；以及密封树脂，其由混入了填料的树脂材料构成，用于对上述半导体元件和上述金属细线进行树脂密封，使覆盖上述金属细线的最顶部的上述密封树脂的厚度比上述填料的最大直径小，并且位于最表层的上述填料被上述树脂材料覆盖。2. 根据权利要求l所述的电路装置，其特征在于，覆盖上述金属细线的最顶部的上述密封树脂的厚度为40 m以下。3. 根据权利要求2所述的电路装置，其特征在于，上述密封树脂的表面为梨皮状表面。4. 根据权利要求3所述的电路装置，其特征在于，上述填料呈球状的形状。5. 根据权利要求4所述的电路装置，其特征在于，在上述密封树脂的主面上未露出上述填料。6. 根据权利要求5所述的电路装置，其特征在于，上述导电部件为形成在基板的主面上的导电图案，以覆盖上述基板的主面的方式形成上述密封树脂。7. 根据权利要求6所述的电路装置，其特征在于，在上述密封树脂的主面上，通过对上述密封树脂照射激光来去除上述密封树脂的...

【专利技术属性】
技术研发人员：中里功，吉羽茂治，关端隆，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，三洋半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]