公开了集成电路装置。所述集成电路装置包括：基底；下绝缘膜；以及电容器结构，电容器结构包括：多个第一导电图案，顺序地堆叠在下绝缘膜上；多个第二导电图案，在所述多个第一导电图案上；第一过孔，在电容器结构的第一侧，其中，第一过孔与所述多个第一导电图案物理地接触并电连接到所述多个第一导电图案，并且不电连接到所述多个第二导电图案；以及第二过孔，在电容器结构的第二侧，其中，第二过孔与所述多个第二导电图案物理地接触并电连接到所述多个第二导电图案，并且不电连接到所述多个第一导电图案。
【技术实现步骤摘要】
公开涉及集成电路装置，更具体地，涉及包括电容器结构的集成电路装置。
技术介绍
1、由于诸如紧凑性、多功能化和/或低制造成本的特性，半导体装置广泛用于电子工业中。然而，随着电子工业的发展，半导体装置正在变得高度集成，这可导致许多问题。例如，由于半导体装置的高集成密度，半导体装置中的图案的临界尺寸和/或间隔可减小，而图案的高度和/或纵横比(aspect ratio)可增加。这可导致薄膜的气相沉积工艺和/或蚀刻工艺的变化增加，这可导致半导体装置的可靠性降低。
技术实现思路
1、提供了一种通过实现高容量电容器而具有提高的性能和集成密度的集成电路装置。
2、还提供了一种制造集成电路装置的方法，通过该方法使用单个掩模蚀刻导电层和介电层。
3、另外的方面将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将根据描述是清楚的，或者可通过实践所呈现的实施例而得知。
4、根据公开的方面，一种集成电路装置包括：基底；下绝缘膜，在基底上，下绝缘膜包括装置；以及电容器结构，在下绝缘膜上，其中，电容器结构包括：多个本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种集成电路装置，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，第一过孔不与所述多个第二导电图案物理地接触，并且
3.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，电容器结构还包括：多个绝缘间隔件，在所述多个第一导电图案的侧壁和所述多个第二导电图案的侧壁，
4.根据权利要求3所述的集成电路装置，其中，所述多个绝缘间隔件包括与第一过孔接触的第一绝缘间隔件和与第二过孔接触的第二绝缘间隔件，并且
5.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，第一过孔和第二过孔中的每个的水平剖面面积在朝向基底的方向上非线性地减小。
>6.根据权利要求1...
【技术特征摘要】
1.一种集成电路装置，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，第一过孔不与所述多个第二导电图案物理地接触，并且
3.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，电容器结构还包括：多个绝缘间隔件，在所述多个第一导电图案的侧壁和所述多个第二导电图案的侧壁，
4.根据权利要求3所述的集成电路装置，其中，所述多个绝缘间隔件包括与第一过孔接触的第一绝缘间隔件和与第二过孔接触的第二绝缘间隔件，并且
5.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，第一过孔和第二过孔中的每个的水平剖面面积在朝向基底的方向上非线性地减小。
6.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，第一过孔和第二过孔中的每个的第一侧壁面向所述多个第一导电图案和所述多个第二导电图案，并且具有阶梯形状。
7.根据权利要求6所述的集成电路装置，其中，第一过孔和第二过孔中的每个的第二侧壁在朝向所述多个第一导电图案和所述多个第二导电图案的方向上倾斜，并且
8.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，电容器结构还包括：介电膜，在所述多个第一导电图案中的第1-1导电图案与所述多个第二导电图案中的第2-1导电图案之间，
9.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，电容器结构还包括：
10.根据权利要求1至9...
【专利技术属性】
技术研发人员：白寅圭，严昌镕，金宽植，金井山，金泰暋，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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