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公开了集成电路装置。所述集成电路装置包括：基底；下绝缘膜；以及电容器结构，电容器结构包括：多个第一导电图案，顺序地堆叠在下绝缘膜上；多个第二导电图案，在所述多个第一导电图案上；第一过孔，在电容器结构的第一侧，其中，第一过孔与所述多个第一导电...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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