一种电阻率均匀的碳化硅膜及其制备方法技术

本申请提供了一种电阻率均匀的碳化硅膜及其制备方法，属于化学气相沉积技术领域。本发明专利技术通过使用甲基三氯硅烷作为前驱体原料，氩气作为载流气体，对掺杂气体经预热器进行预热处理并完全分解为氮原子单位形式，进入化学气相沉积室，供应浓度均匀的氮原子，从而形成电阻率均匀的碳化硅膜。采用本发明专利技术方法制得的碳化硅膜的电阻率偏差符合多数产品对碳化规模的电阻率偏差的生产需求，相比使用未经预热处理的N型掺杂气体制得的碳化硅膜，电阻率偏差更低，能够提高产品质量及提供生产需求率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于化学气相沉积(chemical vapor deposition,cvd)，具体涉及一种电阻率均匀的碳化硅膜及其制备方法。

技术介绍

1、碳化硅材料具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度、高温稳定性、高耐腐蚀性和抗辐射性能等优良的物理、化学及电学性能，是目前半导体材料中应用最广泛的材料之一。

2、随着碳化硅器件耐压性能的提高，对碳化硅膜电阻率均匀性的控制变得越来越严格。现有方法一般使n型掺杂剂，在沉积碳化硅膜时通过微调氮的投入量来调节碳化硅膜的电阻率，但是仅通过调节氮含量很难获得电阻率均匀的碳化硅膜，因此提供一种电阻率均匀的碳化硅膜的制备方法显得尤为重要。

技术实现思路

1、针对现有技术存在的上述问题，本专利技术所要解决的第一技术问题是提供一种电阻率均匀的碳化硅膜的制备方法；本专利技术所要解决的第二技术问题是一种提供上述方法制备得到的电阻率均匀的碳化硅膜。

2、第一方面，本申请提供一种电阻率均匀的碳化硅膜的制备方法，包括以下步骤：</p>

3、s1本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电阻率均匀的碳化硅膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的电阻率均匀的碳化硅膜的制备方法，其特征在于，所述化学气相沉积室的真空度为0.01～800torr。

3.根据权利要求1所述的电阻率均匀的碳化硅膜的制备方法，其特征在于，所述预定沉积温度为1000～1500℃。

4.根据权利要求1所述的电阻率均匀的碳化硅膜的制备方法，其特征在于，所述掺杂气体为N型掺杂气体。

5.根据权利要求1所述的电阻率均匀的碳化硅膜的制备方法，其特征在于，所述N型掺杂气体包括氮气和/或氨气。

6.根据权利要求1所述的电阻...

【技术特征摘要】

1.一种电阻率均匀的碳化硅膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的电阻率均匀的碳化硅膜的制备方法，其特征在于，所述化学气相沉积室的真空度为0.01～800torr。

3.根据权利要求1所述的电阻率均匀的碳化硅膜的制备方法，其特征在于，所述预定沉积温度为1000～1500℃。

4.根据权利要求1所述的电阻率均匀的碳化硅膜的制备方法，其特征在于，所述掺杂气体为n型掺杂气体。

5.根据权利要求1所述的电阻率均匀的碳化硅膜的制备方法，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔海珍，吴涛，
申请(专利权)人：苏州精材半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：