【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体加工，具体为一种高均匀性化学气相沉积碳化硅涂层载盘。
技术介绍
1、现有技术的mocvd反应装置一般包括：相对设置的喷淋头和石墨载盘，喷淋头用于提供反应气体，石墨盘内具有多个凹槽，每个凹槽内对应放置一片衬底，在石墨载盘的下方还有加热装置，以对石墨载盘进行加热，石墨载盘受热升温，能够以热辐射和热传导方式对衬底进行加热，在进行mocvd工艺时，反应气体自喷淋头的小孔进入石墨载盘上方的反应区域，衬底由于加热装置的热传导加热而具有一定的温度，该温度使得反应气体之间进行化学反应，从而在衬底表面沉积外延材料层。
2、经检索，中国专利申请号为cn215713365u的专利，公开了一种高强高韧碳化硅涂层石墨载盘，包括本体，所述本体的顶部开设有载槽，所述本体的正下方设有螺纹环，所述螺纹环的底部设有卡弧，所述卡弧的底部开设有卡槽，所述卡槽有若干个并圆周阵列分布，所述卡槽的正下方设有套筒，所述套筒的顶部滑动套设有支撑杆，所述支撑杆的底部固定设有卡接在卡槽内的卡块，所述套筒的底部设有朝向本体外侧设置的支撑脚，所述支撑脚朝向本体的外侧...
【技术保护点】
1.一种高均匀性化学气相沉积碳化硅涂层载盘，包括具有碳化硅涂层的载盘本体(1)，其特征在于：所述载盘本体(1)底部外壁螺接有螺纹套(4)，且螺纹套(4)底部外壁固定连接有卡弧(2)，所述卡弧(2)底部外壁设置有四个支撑机构(3)，所述支撑机构(3)包括支撑脚(5)，且支撑脚(5)顶部外壁固定连接有套管(6)，所述套管(6)的内壁滑动连接有滑动柱(8)，且滑动柱(8)顶部外壁固定连接有卡接块(10)，所述卡弧(2)的外壁开设有卡接口，所述卡接块(10)卡接在卡接口的内壁上。
2.根据权利要求1所述的一种高均匀性化学气相沉积碳化硅涂层载盘，其特征在于：所述滑动...
【技术特征摘要】
1.一种高均匀性化学气相沉积碳化硅涂层载盘，包括具有碳化硅涂层的载盘本体(1)，其特征在于：所述载盘本体(1)底部外壁螺接有螺纹套(4)，且螺纹套(4)底部外壁固定连接有卡弧(2)，所述卡弧(2)底部外壁设置有四个支撑机构(3)，所述支撑机构(3)包括支撑脚(5)，且支撑脚(5)顶部外壁固定连接有套管(6)，所述套管(6)的内壁滑动连接有滑动柱(8)，且滑动柱(8)顶部外壁固定连接有卡接块(10)，所述卡弧(2)的外壁开设有卡接口，所述卡接块(10)卡接在卡接口的内壁上。
2.根据权利要求1所述的一种高均匀性化学气相沉积碳化硅涂层载盘，其特征在于：所述滑动柱(8)的外壁开设有凹槽，且凹槽的内壁固定连接有齿条一(9)。
3.根据权利要求2所述的一种高均匀性化学气相沉积碳化硅涂层载盘，其特征在于：所述套管(6)的外壁固定连接有调节盒(7)，且调节盒(7)的一侧外壁开设有圆口，所述圆口的内壁滑动连接有驱动柱(11)。
4.根据权利要求3所述的一种高均匀性化学气相沉积碳化...
【专利技术属性】
技术研发人员：邹济冬，
申请(专利权)人：江苏三责新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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