一种铜蚀刻液及其制备方法与应用技术

本发明专利技术涉及一种铜蚀刻液及其制备方法与应用，属于铜蚀刻液技术领域。本发明专利技术的铜蚀刻液，以重量分数计，包括有机酸1％‑10％、无机酸1％‑15％、氧化剂0.5％‑10％、湿润剂0.1％‑5％、铝缓蚀剂0.1％‑10％、助溶剂5％‑50％、余量为水；所述铝缓蚀剂选自吡嗪类化合物。本发明专利技术的铜蚀刻液通过铝缓蚀剂吡嗪类化合物和有机酸的搭配使用，既能增大铜的蚀刻速率，又能更好的减少铝的蚀刻。大部分有机酸都是含氧酸，而铝的结构有些特殊，其氧化膜会对铝起到一个很好的保护作用，铝在这种含氧酸中更容易被氧化，所以铝的蚀刻会更慢一些。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于铜蚀刻液，尤其涉及一种铜蚀刻液及其制备方法与应用。

技术介绍

1、传统的铜蚀刻液主要分为酸性蚀刻和碱性蚀刻，而其中酸性蚀刻以酸+氧化剂体系为主，其中根据应用场景和工艺条件的区别，对铜蚀刻液的蚀刻速率和侧蚀等各种要求也不尽相同，目前铜蚀刻液常应用在面板、pcb、ic载板、led封装、芯片封装等领域。

2、在led封装领域中，大功率led发光时会有大量热量产生，此时对于芯片的散热问题就会有比较大的挑战，其中一种封装方式就是将芯片贴在线路板(pcb)上，即通常将面积较大的铜层和散热层焊接在一起。散热层的不同形成的结构不同，其中一种结构就是柔性pcb结构，包括依次设置的铝板、粘结剂、柔性层和铜层(熊星.大功率led芯片封装散热问题研究[d].南昌大学,2016.)。这种柔性pcb结构又可以称为铝基覆铜板，由铝板、环氧树脂或环氧玻璃布粘结片、铜箔三种原材料经热压而制成。对一些特殊的应用环境，如铝基覆铜板上通过绑定线方式来实现电气链接的，要求铝基板的线路表面平整，以防止绑定线从线路表面脱落。而目前铜铝基板铜蚀刻工艺过程中，会在线路面上留有飞针本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种铜蚀刻液，其特征在于，以重量分数计，包括有机酸1％-10％、无机酸1％-15％、氧化剂0.5％-10％、湿润剂0.1％-5％、铝缓蚀剂0.1％-10％、助溶剂5％-50％、余量为水；所述铝缓蚀剂选自吡嗪类化合物。

2.根据权利要求1所述的铜蚀刻液，其特征在于，所述吡嗪类化合物选自吡嗪、巯基吡嗪、羟基吡嗪、氨基吡嗪和苯并吡嗪中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的铜蚀刻液，其特征在于，所述有机酸选自甲酸、乙酸、柠檬酸、酒石酸、氨基酸、氨基磺酸、葡萄酸和苯磺酸中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的铜蚀刻液，其特征在于，所述无机酸选自硫酸、硝酸...

【技术特征摘要】

1.一种铜蚀刻液，其特征在于，以重量分数计，包括有机酸1％-10％、无机酸1％-15％、氧化剂0.5％-10％、湿润剂0.1％-5％、铝缓蚀剂0.1％-10％、助溶剂5％-50％、余量为水；所述铝缓蚀剂选自吡嗪类化合物。

2.根据权利要求1所述的铜蚀刻液，其特征在于，所述吡嗪类化合物选自吡嗪、巯基吡嗪、羟基吡嗪、氨基吡嗪和苯并吡嗪中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的铜蚀刻液，其特征在于，所述有机酸选自甲酸、乙酸、柠檬酸、酒石酸、氨基酸、氨基磺酸、葡萄酸和苯磺酸中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的铜蚀刻液，其特征在于，所述无机酸选自硫酸、硝酸、盐酸、磷酸、硼酸、碳酸、氢氟酸、氢溴酸和氢碘酸中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的铜蚀刻液，其特征在于，所述氧化剂选自过...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁明军，毕春雷，
申请(专利权)人：苏州惺忆新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：