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湿度传感器制造技术

技术编号:41418977 阅读:49 留言:0更新日期:2024-05-21 20:52
本发明专利技术涉及湿度传感器(10),其包括具有第一面(14)和在几何上与第一面(14)相对的第二面(16)的支撑基板(12),其中:第一面(14)设置有被配置成与液体接触的多个电极对(30),以及第二面(16)包括彼此并联连接的多个检测部件(20),各个检测部件(20)包括与电极对(30)相关联的晶体管(T),并且湿度传感器(10)对多个检测部件(20)的等效电阻(Req)敏感。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】


技术介绍


技术实现思路

【技术保护点】

1.一种湿度传感器(10),其包括具有第一面(14)和在几何上与所述第一面(14)相对的第二面(16)的支撑基板(12),以及其中:

2.根据权利要求1所述的湿度传感器,其中,所述晶体管(T)是双极晶体管(T)、特别地是正-负-正双极晶体管即PNP双极晶体管,所述双极晶体管(T)被配置成从与所述第一状态相对应的所谓导通状态切换到与所述第二状态相对应的所谓关断状态,以及其中,所述晶体管(T)的输入电极(b)是所述双极晶体管(T)的基极(b),并且所述晶体管(T)的输出电极(c)是所述双极晶体管(T)的集电极。

3.根据权利要求1所述的湿度传感器,其中,所述晶体管(T)是金属氧化物半导体场效应晶体管即MOSFET,其中,所述晶体管(T)的输入电极(b)是所述MOSFET的栅极,并且所述晶体管(T)的输出电极(c)是所述MOSFET的漏极。

4.根据前述权利要求之一所述的湿度传感器,包括具有不同值的第一电阻器(R1)。

5.根据权利要求4所述的湿度传感器,其中,所述多个电极对(30)按所述第一面(14)的预定区域分布,并且各第一电阻器(R1)的值与所述第一面(14)的预定区域有关。

6.根据前述权利要求之一所述的湿度传感器,其中,所述多个第一检测部件(20)被包装在封装树脂(24)中。

7.根据前述权利要求之一所述的湿度传感器,其中,所述支撑基板(12)包括允许流体在所述第一面(14)和所述第二面(16)之间流动的至少一个通孔(28)。

8.根据前述权利要求之一所述的湿度传感器,其中,所述多个电极对(30)中的电极(18、18A、18B)沿着包含在所述第一面(14)的平面中的至少两个方向布置在所述第一面(14)上,所述多个电极对(30)中的电极(18、18A、18B)特别地以交叉形布置、特别地以具有至少六个点的交叉形布置。

9.根据前述权利要求之一所述的湿度传感器,其中,对于各电极对(30),该电极对(30)中的各个电极(18、18A、18B)通过形成在所述第一面(14)和所述第二面(16)之间的金属化孔(26)电连接到布置在所述第二面(16)上的相应第一检测部件(20)。

10.根据前述权利要求之一所述的湿度传感器,其中,所述支撑基板(12)是能够弯曲的柔性层,特别地厚度小于300微米、更特别地厚度小于150微米。

11.根据前述权利要求之一所述的湿度传感器,还包括在所述第二面(16)处的微芯片,所述微芯片被配置成将数据发送到第三方装置。

12.根据前述权利要求之一所述的湿度传感器,其中,所述第一面(14)还包括无线电天线(32、34)。

13.根据权利要求12所述的湿度传感器,其中,所述无线电天线(34)围绕所述多个电极对(30)布置。

14.根据前述权利要求之一所述的湿度传感器,其中,所述支撑基板(12)还包括至少另一检测电极对以及除了湿度之外的量的至少第二检测部件,并且所述检测电极对电连接到所述第二检测部件,使得所述湿度传感器(10)还被配置成测量除了湿度之外的量,特别地测量温度、压力、pH或化学种类的存在。

15.一种根据前述权利要求之一所述的湿度传感器(10)在伤口敷料(100)中的用途,其中,所述湿度传感器(10)的多个电极对(30)被布置在所述伤口敷料(100)中以与来自伤口的液体接触。

16.一种通过根据权利要求1至14中任一项所述的湿度传感器来检测湿度的方法,包括以下步骤:

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种湿度传感器(10),其包括具有第一面(14)和在几何上与所述第一面(14)相对的第二面(16)的支撑基板(12),以及其中:

2.根据权利要求1所述的湿度传感器,其中,所述晶体管(t)是双极晶体管(t)、特别地是正-负-正双极晶体管即pnp双极晶体管,所述双极晶体管(t)被配置成从与所述第一状态相对应的所谓导通状态切换到与所述第二状态相对应的所谓关断状态,以及其中,所述晶体管(t)的输入电极(b)是所述双极晶体管(t)的基极(b),并且所述晶体管(t)的输出电极(c)是所述双极晶体管(t)的集电极。

3.根据权利要求1所述的湿度传感器,其中,所述晶体管(t)是金属氧化物半导体场效应晶体管即mosfet,其中,所述晶体管(t)的输入电极(b)是所述mosfet的栅极,并且所述晶体管(t)的输出电极(c)是所述mosfet的漏极。

4.根据前述权利要求之一所述的湿度传感器,包括具有不同值的第一电阻器(r1)。

5.根据权利要求4所述的湿度传感器,其中,所述多个电极对(30)按所述第一面(14)的预定区域分布,并且各第一电阻器(r1)的值与所述第一面(14)的预定区域有关。

6.根据前述权利要求之一所述的湿度传感器,其中,所述多个第一检测部件(20)被包装在封装树脂(24)中。

7.根据前述权利要求之一所述的湿度传感器,其中,所述支撑基板(12)包括允许流体在所述第一面(14)和所述第二面(16)之间流动的至少一个通孔(28)。

8.根据前述权利要求之一所述的湿度传感器,其中,所述多个电极对(30)中的电极(18、18a、18b)沿着包含在所述第一面(14)的平面中的至少两个方向布置在所述第一面(14...

【专利技术属性】
技术研发人员:S·瓦萨尔V·莫斯奎F·杰曼S·普鲁尼尔
申请(专利权)人:兰克森控股公司
类型:发明
国别省市:

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