【技术实现步骤摘要】
本文中所描述的主题的实施例大体上涉及射频(rf)功率放大器，更具体地，涉及rf功率放大器内的功率晶体管装置以及制造此类装置和放大器的方法。
技术介绍
1、无线通信系统采用功率放大器来增大射频(rf)信号的功率。例如在蜂窝基站中，高功率rf放大器可形成发送链中的最末放大级的部分，之后将放大的信号提供到天线以通过空中接口辐射。高增益、高线性度、稳定性以及高水平的功率附加效率是此类无线通信系统中合乎需要的功率放大器的特性。
2、高功率rf放大器的实施方案通常包括安装到印刷电路板(pcb)的封装功率晶体管装置。在一些常规放大器中，pcb电路系统与封装内的功率晶体管之间的阻抗匹配实施于pcb上，并且此类放大器在封装内不匹配。例如，典型的逆f类放大器可能包括在封装内不匹配的功率晶体管装置，并且在pcb上获得逆f类操作。然而，此类放大器配置尤其在封装功率晶体管的外周以及因此封装功率晶体管的寄生输出电容相对大时可能具有次优性能。本质上，对于包括具有高寄生输出电容的封装功率晶体管的放大器，旨在最大化输出功率的pcb匹配变得更加困难。对于空间严重受限的放大器系统，这些困难甚至更严重。因此，需要的是紧凑的放大器电路和具有良好匹配的高外周功率晶体管的封装功率晶体管装置。
技术实现思路
1、根据本专利技术的第一方面，提供一种功率放大器装置，包括：
2、功率放大器封装；
3、第一放大路径，其实施于所述功率放大器封装内，其中所述第一放大路径包括
4、第一输入封装引
5、第一输出封装引线，其耦合到所述功率放大器封装并且在所述功率放大器封装的所述内部与所述功率放大器封装的所述外部之间延伸，
6、第一晶体管管芯，其包覆在所述功率放大器封装内并且包括晶体管输入端、晶体管输出端和第一功率晶体管，所述第一功率晶体管具有耦合到所述晶体管输入端的输入端和耦合到所述晶体管输出端的输出端，
7、两级输入阻抗匹配电路，其包覆在所述功率放大器封装内并且电耦合在所述第一输入封装引线与所述晶体管输入端之间，其中所述两级输入阻抗匹配电路具有双t型匹配拓扑，所述双t型匹配拓扑包括耦合到所述第一输入封装引线的第一谐振器以及耦合在所述第一谐振器与所述晶体管输入端之间的第二谐振器，
8、输出阻抗匹配电路，其包覆在所述功率放大器封装内并且耦合在所述晶体管输出端与所述第一输出封装引线之间，和
9、二次输出谐波终止电路，其包覆在所述功率放大器封装内并且耦合到所述第一输出封装引线。
10、在一个或多个实施例中，所述第一功率晶体管是氮化镓晶体管，所述氮化镓晶体管的外周在26到80毫米范围内，并且输出电容在0.1到0.4皮法每毫米(pf/mm)的范围内。
11、在一个或多个实施例中，所述两级输入阻抗匹配电路包括：
12、第一节点，其耦合到所述第一输入封装引线；
13、所述第一谐振器，其包括
14、第一电容器，其耦合在所述第一节点与接地参考节点之间，和
15、第一电感元件，其耦合在所述第一节点与第二节点之间；以及
16、所述第二谐振器，其包括
17、第二电容器，其耦合在所述第二节点与所述接地参考节点之间，和
18、第二电感元件，其耦合在所述第二节点与所述晶体管输入端之间。
19、在一个或多个实施例中，所述放大器装置另外包括：
20、视频带宽电路，其耦合在所述第二节点与所述接地参考节点之间，其中所述视频带宽电路包括多个部件，并且其中所述多个部件包括串联耦合在所述第二节点与所述接地参考节点之间的包络电阻器、包络电感器和包络电容器。
21、在一个或多个实施例中，所述放大器装置另外包括：
22、栅极偏置电路，其耦合在所述第二节点与所述接地参考节点之间。
23、在一个或多个实施例中，所述第一电容器和所述第二电容器一体地形成于定位在所述第一输入封装引线与所述第一晶体管管芯之间的集成无源装置中；并且
24、所述第一电感元件和所述第二电感元件包括第一组焊线和第二组焊线。
25、在一个或多个实施例中，所述放大器装置另外包括：
26、第三电感元件，其耦合在所述第一输入封装引线与所述第一节点之间。
27、在一个或多个实施例中，所述输入阻抗匹配电路被配置成产生等于j*x的zs_2f0_extrinsic，其中1.3＜x＜3.0。
28、在一个或多个实施例中，所述输出阻抗匹配电路包括：
29、第一电感元件，其耦合在所述晶体管输出端与所述第一输出封装引线之间；
30、第二电感元件，其耦合在所述晶体管输出端与节点之间；以及
31、隔直电容器，其耦合在所述节点与接地参考节点之间。
32、在一个或多个实施例中，所述节点是rf冷点节点，并且所述放大器另外包括：
33、视频带宽电路，其耦合在所述节点与所述接地参考节点之间，其中所述视频带宽电路包括多个部件，并且其中所述多个部件包括串联耦合在所述节点与所述接地参考节点之间的包络电阻器、包络电感器和包络电容器。
34、在一个或多个实施例中，所述放大器装置另外包括：
35、漏极偏置电路，其耦合在所述节点与所述接地参考节点之间。
36、在一个或多个实施例中，二次谐波终止电路由串联耦合在所述第一输出封装引线与接地参考节点之间的第三电感元件和第二电容器形成，其中所述二次谐波终止电路以所述放大器的操作基频的二次谐波频率谐振。
37、在一个或多个实施例中，所述二次谐波终止电路直接连接到所述第一输出封装引线。
38、在一个或多个实施例中，所述隔直电容器和所述第二电容器一体地形成于定位在所述第一晶体管管芯与所述第一输出封装引线之间的集成无源装置中；并且
39、所述第一电感元件、所述第二电感元件和所述第三电感元件包括第一组焊线、第二组焊线和第三组焊线。
40、在一个或多个实施例中，所述放大器装置另外包括：
41、三次谐波终止电路，其由串联连接在所述晶体管输出端与所述接地参考节点之间的第二电感元件和第二电容器形成，其中所述三次谐波终止电路以所述放大器的所述操作基频的三次谐波频率谐振。
42、在一个或多个实施例中，所述功率放大器封装包括导电凸缘，所述导电凸缘充当所述放大器的接地参考节点，并且所述第一功率晶体管管芯连接到所述导电凸缘。
43、根据本专利技术的第二方面，提供一种形成多尔蒂放大器的一部分的功率放大器装置，所述功率放大器装置包括：
44、功率放大器封装；
45、峰化放大路径，其实施于所述功率放大器封装内，其中所述峰化放大路径包括
46、第一输入封装引线，其耦合到所述功本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种功率放大器装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的放大器装置，其特征在于，所述第一功率晶体管是氮化镓晶体管，所述氮化镓晶体管的外周在26到80毫米范围内，并且输出电容在0.1到0.4皮法每毫米(pF/mm)的范围内。
3.根据权利要求1所述的放大器装置，其特征在于，所述两级输入阻抗匹配电路包括：
4.根据权利要求3所述的放大器装置，其特征在于，另外包括：
5.根据权利要求3所述的放大器装置，其特征在于，另外包括：
6.根据权利要求3所述的放大器装置，其特征在于：
7.根据权利要求3所述的放大器装置，其特征在于，另外包括：
8.根据权利要求1所述的放大器装置，其特征在于，所述输入阻抗匹配电路被配置成产生等于j*X的Zs_2f0_extrinsic，其中1.3＜X＜3.0。
9.根据权利要求1所述的放大器装置，其特征在于，所述输出阻抗匹配电路包括：
10.一种形成多尔蒂放大器的一部分的功率放大器装置，其特征在于，所述功率放大器装置包括：
【技术特征摘要】
1.一种功率放大器装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的放大器装置，其特征在于，所述第一功率晶体管是氮化镓晶体管，所述氮化镓晶体管的外周在26到80毫米范围内，并且输出电容在0.1到0.4皮法每毫米(pf/mm)的范围内。
3.根据权利要求1所述的放大器装置，其特征在于，所述两级输入阻抗匹配电路包括：
4.根据权利要求3所述的放大器装置，其特征在于，另外包括：
5.根据权利要求3所述的放大器装置，其特征在于，另外包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：劳拉·布林，董圆圆，阿尼克特·阿南特·沃杜卡，许亮，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。