驱动控制电路、驱动控制方法及驱动控制系统技术方案

本发明专利技术的实施例公开了一种驱动控制电路、驱动控制方法及驱动控制系统，上述驱动控制电路包括：控制电路，控制电路的输入端耦接第一晶体管的漏端，控制电路的输出端耦接驱动电路，控制电路基于第一晶体管的漏端电压生成第一控制信号，输出至驱动电路；驱动电路，驱动电路的第一输入端和第二输入端耦接控制电路，接收第一控制信号，驱动电路的第一输出端和第二输出端耦接第一晶体管的栅端，根据第一控制信号输出第一驱动信号和第二驱动信号以控制第一晶体管的栅端电流。本发明专利技术通过设置控制电路获取第一晶体管的漏端电压变化率，并生成第一控制信号以分段控制驱动电路，有效防止了第一晶体管驱动过程中电压电流过冲引发安全性问题，减弱了电磁干扰。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶体管驱动控制，尤其涉及一种驱动控制电路、驱动控制方法及驱动控制系统。

技术介绍

1、随着硅基mosfet以及igbt器件驱动技术逐渐成熟，并广泛应用于各种领域，复杂化的应用场景和严格化的应用条件也对器件的效率、功率密度、可靠性以及高速性能方面提出了新的要求。硅基器件由于其材料限制，已经越来越无法适应快速变化的应用情境，而第三代半导体由于其宽禁带、高饱和漂移速度、高热导率、高临界击穿电场等优点正崭露头角。sic mosfet作为第三代半导体器件的代表，相较于传统硅基mosfet和igbt器件具有更耐高压，更高速，更高效率，更小面积，抗辐射型好等优点，已经在电子电力的传统领域以及新兴领域被广泛应用。

2、sic mosfet具有上述优异的性能，但是如果采用传统硅基器件的直接驱动的方式，尤其是在高速应用条件下，持续强大的过驱动能力会使sic mosfet上产生过大的开关点的电流变化斜率和电压变化斜率，即did/dt（did为电流差，dt为变化时间）以及dvd/dt（dvd为电压差，dt为变化时间），从而会出现较大的电压/电流过冲以及较本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种驱动控制电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的驱动控制电路，其特征在于，所述控制电路包括：

3.根据权利要求2所述的驱动控制电路，其特征在于，所述转换电路包括串联的第一电容和第一电阻；

4.根据权利要求3所述的驱动控制电路，其特征在于，所述转换电路还包括第一运算放大器；

5.根据权利要求3所述的驱动控制电路，其特征在于，所述转换电路还包括采样电路；

6.根据权利要求2所述的驱动控制电路，其特征在于，所述分段控制电路包括至少一组比较器，每组比较器包括一个第一比较器和相对应的第一比较器；>

7.根据权利...

【技术特征摘要】

1.一种驱动控制电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的驱动控制电路，其特征在于，所述控制电路包括：

3.根据权利要求2所述的驱动控制电路，其特征在于，所述转换电路包括串联的第一电容和第一电阻；

4.根据权利要求3所述的驱动控制电路，其特征在于，所述转换电路还包括第一运算放大器；

5.根据权利要求3所述的驱动控制电路，其特征在于，所述转换电路还包括采样电路；

6.根据权利要求2所述的驱动控制电路，其特征在于，所述分段控制电路包括至少一组比较器，每组比较器包括一个第一比较器和相对应的第一比较器；

7.根据权利要求6所述的驱动控制电路，其特征在于，第一控制信号为所述至少一组比较器的输出信号，当所述至少一组比较器的数量为n时，所述第一控制信号的数量为2n，其中n为大于等于1的整数。

8.根据权利要求1所述的驱动控制电路，其特征在于，所述驱动电路还具有第三输入端和第四...

【专利技术属性】
技术研发人员：曲新宇，林涛，盛云，张昊，
申请(专利权)人：苏州纳芯微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：