一种埋嵌芯片基板结构及制作方法技术

本申请公开了一种埋嵌芯片基板结构及制作方法，结构包括：硅晶片，硅晶片具有背离设置的第一表面和第二表面，第一表面设有开窗，以引出硅晶片的电信号；导电凸台，导电凸台与开窗电性连接，以接入电信号；导电凸台具有背离第二表面的第三表面；第一封装层，第一封装层包裹硅晶片和导电凸台；第一封装层具有背离第二表面的第四表面；沿硅晶片的厚度方向X，第三表面与第四表面之间具有距离W<subgt;1</subgt;和距离预设值W<subgt;0</subgt;，满足:W<subgt;1</subgt;≥W<subgt;0</subgt;；引出线路，引出线路与导电凸台电性连接，引出线路的至少部分露出于第一封装层。硅晶片表面增加与开窗连接的导电凸台后再进行埋嵌，延长热传递路径增加了激光能量到开窗热传导距离，避免热量聚焦把芯片烧毁。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体封装，尤其是一种埋嵌芯片基板结构及制作方法。

技术介绍

1、随着集成电路的功能和性能不断提高，封装技术在电子产品中的重要性也越来越突出。封装技术在整个电子系统中所占的比重越来越大，成为整个电子产品的关键环节。同时，随着集成电路特征尺寸不断缩小，晶体管向更高密度、更高时钟频率发展，封装技术也需要不断进化。封装技术需要向更高密度、更高精度的方向发展，以满足集成电路不断提升的性能和密度要求。

2、现有的封装工艺包括：step1：使用铜片制作带孔的框架；step2：将框架使用紫外光敏胶膜(ultra violet，uv)贴到载板上，并将芯片贴到框架内；step3：abf(anisotropicconductive film，各向异性导电膜)压合；step4：载板去除并正面进行abf压合；step5：在芯片和框架上进行激光钻孔，化镀后将芯片线路引出；step6：贴膜，曝光，显影进行图形转移。

3、由于激光钻孔能量太高，热量聚焦容易把芯片烧毁；能量太低，激光钻孔钻不透abf，导致开路；另外abf为疏水性材料，在高温高湿环境下，连本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种埋嵌芯片基板结构，其特征在于，所述埋嵌芯片基板结构包括：

2.根据权利要求1所述的埋嵌芯片基板结构，其特征在于，所述埋嵌芯片基板结构还包括第二封装层(105)，所述第二封装层(105)设于所述第一表面(101)，所述第二封装层(105)延伸至所述第三表面(201)并露出所述第三表面(201)。

3.根据权利要求1所述的埋嵌芯片基板结构，其特征在于，所述埋嵌芯片基板结构包括导电互连部(70)，所述导电凸台(20)通过所述导电互连部(70)与所述开窗(103)电性连接。

4.根据权利要求1所述的埋嵌芯片基板结构，其特征在于，所述导电凸台(20)在所...

【技术特征摘要】

1.一种埋嵌芯片基板结构，其特征在于，所述埋嵌芯片基板结构包括：

2.根据权利要求1所述的埋嵌芯片基板结构，其特征在于，所述埋嵌芯片基板结构还包括第二封装层(105)，所述第二封装层(105)设于所述第一表面(101)，所述第二封装层(105)延伸至所述第三表面(201)并露出所述第三表面(201)。

3.根据权利要求1所述的埋嵌芯片基板结构，其特征在于，所述埋嵌芯片基板结构包括导电互连部(70)，所述导电凸台(20)通过所述导电互连部(70)与所述开窗(103)电性连接。

4.根据权利要求1所述的埋嵌芯片基板结构，其特征在于，所述导电凸台(20)在所述硅晶片(10)的厚度方向(x)上具有设定厚度w2，所述厚度w2不小于10微米。

5...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚玉平，
申请(专利权)人：苏州纳芯微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：