一种薄膜太阳能电池清边绝缘测试方法、测试装置和应用制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种薄膜太阳能电池清边绝缘测试方法、测试装置和应用。该测试方法包括步骤：将第一导电层贴覆于封装前的薄膜太阳能电池的清边区域，第二导电层贴覆于所述薄膜太阳能电池的芯片区域，且所述第一导电层与所述芯片区域间隔设置；测试所述第一导电层与所述第二导电层之间的电阻，得到所述清边区域的绝缘性能数据。该方法容易实施，检测效率高，利于降低生产成本，提高产品良率和生产效率。本发明专利技术还提供一种薄膜太阳能电池清边绝缘测试装置，以及该测试方法和测试装置的应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池，具体涉及一种薄膜太阳能电池清边绝缘测试方法、测试装置和应用。

技术介绍

1、薄膜太阳能电池具有光吸收能力强、制造成本低、可柔性化、发电稳定以及环境友好等优点，是最有可能取代硅电池的材料之一。薄膜太阳能电池一般以玻璃为基底，在基底上镀有前电极、半导体层及背电极。其中，半导体层可以是非晶硅、碲化镉、铜铟镓硒、钙钛矿等。例如，碲化镉作为一种化合物半导体，在太阳能电池中一般作为吸收层，由于它是直接带隙半导体，禁带宽度为1.45ev，光电转换理论效率在30％左右，具有很高的光吸收系数，仅2μm的膜厚，就可以吸收am1.5条件下99％的太阳光，且碲化镉容易沉积大面积的薄膜，沉积速率也高，因此碲化镉薄膜太阳能电池的制造成本较低，是应用前景较好的一种薄膜光伏电池。

2、传统的薄膜太阳能电池的制作过程是在玻璃基板上沉积前电极，然后使用激光刻蚀分割前电极(p1)，再沉积半导体层，进行激光刻蚀(p2)，再沉积背电极，再进行激光刻蚀分割背电极(p3)，形成多个子电池，上述三道激光工艺即通常所说的p1、p2、p3工艺。其中，p2位于p1和p3之本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种薄膜太阳能电池清边绝缘测试方法，其特征在于：包括步骤：

2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池清边绝缘测试方法，其特征在于：所述第一导电层为柔性导电层；和/或，所述第一导电层通过真空吸附作用贴覆于所述清边区域；和/或，所述第一导电层与所述芯片区域之间的间隙不超过2mm；和/或，所述第一导电层沿清边区域的周向呈连续分布；和/或，所述第二导电层为柔性导电层；和/或，所述第二导电层通过真空吸附作用贴覆于所述芯片区域。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜太阳能电池清边绝缘测试方法，其特征在于：所述薄膜太阳能电池选自非晶硅、碲化镉、铜铟镓硒或钙钛矿类型；和/或，所述电...

【技术特征摘要】

1.一种薄膜太阳能电池清边绝缘测试方法，其特征在于：包括步骤：

2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池清边绝缘测试方法，其特征在于：所述第一导电层为柔性导电层；和/或，所述第一导电层通过真空吸附作用贴覆于所述清边区域；和/或，所述第一导电层与所述芯片区域之间的间隙不超过2mm；和/或，所述第一导电层沿清边区域的周向呈连续分布；和/或，所述第二导电层为柔性导电层；和/或，所述第二导电层通过真空吸附作用贴覆于所述芯片区域。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜太阳能电池清边绝缘测试方法，其特征在于：所述薄膜太阳能电池选自非晶硅、碲化镉、铜铟镓硒或钙钛矿类型；和/或，所述电阻采用绝缘电阻仪测试。

4.一种薄膜太阳能电池清边绝缘测试装置，其特征在于，包括：

5.根据权利要求4所述的薄膜太阳能电池清边绝缘测试装置，其特征在于：所述底板上设有间隔设置的第一支撑架和第二支撑架，所述第一导电层设置在所述第一支撑架...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈凯，潘智林，周壮大，赖新暖，赵志波，
申请(专利权)人：广东明阳薄膜科技有限公司，
类型：发明
国别省市：