一种改进的刻蚀碳化硅半导体表面处理工艺制造技术

本发明专利技术属于半导体制造技术领域，一种改进的刻蚀碳化硅半导体表面处理工艺，包括以下步骤：(1)采用RCA工艺对SiC样品进行清洗，(2)沉积SiO<subgt;2</subgt;掩膜，(3)刻蚀SiC形成沟槽，(4)对刻蚀后SiC样品进行湿法清洗，(5)对步骤4样品进行牺牲氧化工艺，(6)对SiC表面进行处理。本发明专利技术工艺，是在传统的牺牲氧化工艺之后，增加一道表面处理工艺,该表面处理工艺为含氢气氛下高温退火或低能氢等离子体处理或低能氮氢混合等离子体处理。与牺牲氧化工艺相比，该工艺处理后的SiC表面更为平滑、平整，表面粗糙度更低。含氢气氛围下处理SiC表面使表面缺陷进一步去除或钝化，进而抑制界面缺陷的产生，从而有效提升SiCUMOSFET器件的可靠性与稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种改进的刻蚀碳化硅半导体表面处理工艺，属于半导体制造。

技术介绍

1、sic作为一种新兴的半导体材料，拥有宽的禁带、高的临界击穿电场、高的热导率以及高的载流子漂移速度等优异特性，因此在高温大功率电力电子器件领域受到了广泛关注。在器件制备过程中，常常需要对sic衬底进行图形化、沟槽处理，比如umosfet、trenchgateigbt、sicmems等。目前常采用的是干法刻蚀，常用的刻蚀气体为f基气体和辅助气体，如cf4、sf6。刻蚀后衬底的表面残留物(f、s等)、刻蚀形貌和刻蚀损伤对sic器件的电学特性及可靠性有很大影响。

2、针对上述问题，研究主要集中于优化刻蚀工艺。杨霏等人在专利[公开号：cn103715065a]中通过采用干法刻蚀疏松掩膜层与湿法腐蚀光滑掩膜层相结合的改进工艺，解决了湿法腐蚀产生的侧蚀导致掩膜条宽变窄的问题，从而获得平缓光滑的侧壁形貌。吴正云等人在专利[授权号：cn100533678c]中采用一次常规高刻蚀速率和一次低刻蚀速率的方法，来减少刻蚀损伤。林政勋等人在专利中[公开号：cn116721915a]采用本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种改进的刻蚀碳化硅半导体表面处理工艺，其特征在传统的牺牲氧化工艺之后，增加一道表面处理工艺,该表面处理工艺为含氢气氛下高温退火、或低能氢等离子体处理、或低能氮氢混合等离子体处理三种方法之一,具体包括以下步骤：

【技术特征摘要】

1.一种改进的刻蚀碳化硅半导体表面处理工艺，其特征在传统的牺牲氧化工艺之后，增加一道表面处理工艺,该表面处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：王德君，王海慧，秦福文，
申请(专利权)人：大连理工大学，
类型：发明
国别省市：