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本发明属于半导体制造技术领域，一种改进的刻蚀碳化硅半导体表面处理工艺，包括以下步骤：(1)采用RCA工艺对SiC样品进行清洗，(2)沉积SiO<subgt;2</subgt;掩膜，(3)刻蚀SiC形成沟槽，(4)对刻蚀后SiC样...
该专利属于大连理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过大连理工大学授权不得商用。

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