一种带模制爬电外凸结构的半导体塑封功率模块制造技术

技术编号:41400233 阅读:18 留言:0更新日期:2024-05-20 19:25
本发明专利技术涉及功率模块封装技术领域,具体涉及一种带模制爬电外凸结构的半导体塑封功率模块。包括,引线框架,包括功率端子和信号端子;覆铜陶瓷衬底,引线框架连接覆铜陶瓷衬底的上表面;塑封体,引线框架连接覆铜陶瓷衬底的一端和覆铜陶瓷衬底包覆在塑封体内,覆铜陶瓷衬底的散热面露出于塑封体的底部;爬电凸台,设于塑封体的底部,并位于覆铜陶瓷衬底的散热面和功率端子之间。本发明专利技术在覆铜陶瓷衬底和引线框架之间设置了爬电凸台,能够有效增加模块电源端子到覆铜陶瓷衬底间的爬电距离,提升模块封装允许的电压等级,保证模块具有可靠的机械性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及功率模块封装,具体涉及一种带模制爬电外凸结构的半导体塑封功率模块


技术介绍

1、功率半导体模块是一种电力电子转换器,主要作用是对电力进行变频、变流,实现电力的高效应用。随着新能源汽车的逐渐普及,为实现更高效的电池充放电效率,车用电控系统电压等级会逐步提高,这对功率模块电压等级及对应的电气绝缘提出了更高的要求。现有技术中,提高塑封体爬电距离的方法有两种,一种是使用更高相对漏电起痕指数(cei)的封装材料,另一种是直接通过优化封装结构来增加爬电距离。然而,使用新的封装材料对模块系统可靠性存在较大风险,材料开发和验证的周期较长。优化封装结构来增加爬电距离可以快速实现模块的电压等级提升,模块系统可靠性风险也更低。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于,提供一种带模制爬电外凸结构的半导体塑封功率模块,解决以上技术问题;

2、本专利技术所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现:

3、一种带模制爬电外凸结构的半导体塑封功率模块,包括,

4、引线框架,包括功率端子和信号本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种带模制爬电外凸结构的半导体塑封功率模块,其特征在于,包括,

2.根据权利要求1所述的带模制爬电外凸结构的半导体塑封功率模块,其特征在于,所述爬电凸台(4)包括分别设于所述覆铜陶瓷衬底(1)的散热面两侧的第一凸台和第二凸台,所述第一凸台和所述第二凸台平行于所述覆铜陶瓷衬底(1)的散热面的侧边。

3.根据权利要求1所述的带模制爬电外凸结构的半导体塑封功率模块,其特征在于,还包括半导体芯片,位于所述塑封体(3)内并设于所述覆铜陶瓷衬底(1)上,所述半导体芯片的电极连接所述引线框架(2)。

4.根据权利要求1所述的带模制爬电外凸结构的半导体塑封功率模块...

【技术特征摘要】

1.一种带模制爬电外凸结构的半导体塑封功率模块,其特征在于,包括,

2.根据权利要求1所述的带模制爬电外凸结构的半导体塑封功率模块,其特征在于,所述爬电凸台(4)包括分别设于所述覆铜陶瓷衬底(1)的散热面两侧的第一凸台和第二凸台,所述第一凸台和所述第二凸台平行于所述覆铜陶瓷衬底(1)的散热面的侧边。

3.根据权利要求1所述的带模制爬电外凸结构的半导体塑封功率模块,其特征在于,还包括半导体芯片,位于所述塑封体(3)内并设于所述覆铜陶瓷衬底(1)上,所述半导体芯片的电极连接所述引线框架(2)。

4.根据权利要求1所述的带模制爬电外凸结构的半导体塑封功率模块,其特征在于,所述功率端子包括分别设于所述塑封体(3)的两侧的一发射极功率端子(22)和一集电极功率端子(21)。

5.根据权利要求1所述的带模制爬电外凸结构的半导体塑封功率模块,其特征在于,所述信号端子包括设于所述发射极功率...

【专利技术属性】
技术研发人员:马佳杰陈烨
申请(专利权)人:斯达半导体股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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