一种四相NMOS开关型LDO制造技术

本发明专利技术提供了一种四相NMOS开关型LDO，所述四相NMOS开关型LDO包括准三型补偿模块、四相PWM控制模块、功率管模块、辅助恒定电流控制模块。本发明专利技术通过单反馈环路和辅助恒定电流控制模块，解决了开关型LDO功率管面积过大，动态电压范围，负载瞬态恢复速度受慢反馈环路影响；本发明专利技术利用辅助恒定电流控制模块电路降低了工艺、电压、温度变化对流经功率管电流的影响以及其功率管波动造成的环路稳定性问题，获得一个低输出纹波，小输出电容，稳定性高的开关型LDO，满足系统级集成电路应用需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电源管理领域，尤其涉及一种四相nmos开关型ldo。

技术介绍

1、模拟ldo通过控制功率晶体管的栅极-源极电压来调节输出电压vout，而数字ldo(dldo)通过控制开/关电源晶体管的数量来调节vout。开关ldo通过控制功率晶体管的开关占空比来调节vout。在输出调节方式方面，模拟控制和开关控制是连续的，而数字控制是离散的。模拟ldo功率晶体管工作在饱和区可以提供良好的瞬态性能，具有良好的稳态性能。然而，为了驱动的大负载电流，功率晶体管的尺寸需要很大，较大的栅极电容可能导致不稳定。大多数之前的全集成模拟ldo只能提供小于250ma的负载电流，这不足以驱动一个高性能的处理器。dldo更适合于大负载电流应用，且没有上述稳定性问题。此外，它可以在低输入电压下工作，并减少分布式功率晶体管的电源传输线上压降的问题。然而，由于固有的量化误差，从而导致精度较低。开关ldo通过控制功率晶体管的开关占空比来调节vout。与模拟ldo相比，由于没有低频功率晶体管栅极极点，没有随负载变化的跨导问题，开关ldo更容易补偿，更适合宽带宽和大电流应用。

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【技术保护点】

1.一种四相NMOS开关型LDO，其特征在于，所述四相NMOS开关型LDO包括准三型补偿模块、四相PWM控制模块、功率管模块、辅助恒定电流控制模块；

2.根据权利要求1所述的一种四相NMOS开关型LDO，其特征在于，所述准三型补偿模块包括：

3.根据权利要求1所述的一种四相NMOS开关型LDO，其特征在于，所述四相PWM控制电路包括：

4.根据权利要求1所述的一种四相NMOS开关型LDO，其特征在于，所述功率管电路包括4个NMOS功率管，源极共同接输出，漏极共同接VIN，其栅极分别接PWM控制模块的输出。

5.根据权利要求1所述的一种四相N...

【技术特征摘要】

1.一种四相nmos开关型ldo，其特征在于，所述四相nmos开关型ldo包括准三型补偿模块、四相pwm控制模块、功率管模块、辅助恒定电流控制模块；

2.根据权利要求1所述的一种四相nmos开关型ldo，其特征在于，所述准三型补偿模块包括：

3.根据权利要求1所述的一种四相nmos开关型ldo，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈卓俊，罗嘉宏，
申请(专利权)人：湖南大学，
类型：发明
国别省市：