一种半导体激光器制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体激光器，从下至上依次设置衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层；所述有源层包括多个量子阱；所述下波导层包括第一下波导层和第二下波导层；其中，所述第一下波导层的菲利普电离度小于所述第二下波导层的菲利普电离度。本发明专利技术通过以上连接组成一种半导体激光器，并设置使得第一下波导层的菲利浦电离度小于第二下波导层的菲利浦电离度，从而增大激光光斑的发散角和水平扩展角，使远场图像呈椭圆形分布且满足高斯分布，实现低纵横比的FFP，提升光斑和光束质量，提升激光器的光束质量因子和限制因子。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体光电器件的，特别是涉及一种半导体激光器。

技术介绍

1、激光器广泛应用于激光显示、激光电视、激光投影仪、通讯、医疗、制导、测距、光谱分析、切割、精密焊接、高密度光存储等领域。激光器的各类很多，分类方式也多样，主要有固体、气体、液体、半导体和染料等类型激光器；与其他类型激光器相比，全固态半导体激光器具有体积小、效率高、重量轻、稳定性好、寿命长、结构简单紧凑、小型化等优点。

2、激光器与氮化物半导体发光二极管存在较大的区别：1)激光是由载流子发生受激辐射产生，光谱半高宽较小，亮度很高，单颗激光器输出功率可在w级，而氮化物半导体发光二极管则是自发辐射，单颗发光二极管的输出功率在mw级；2)激光器的使用电流密度达ka/cm2，比氮化物发光二极管高2个数量级以上，从而引起更强的电子泄漏、更严重的俄歇复合、极化效应更强、电子空穴不匹配更严重，导致更严重的效率衰减droop效应；3)发光二极管自发跃迁辐射，无外界作用，从高能级跃迁到低能级的非相干光，而激光器为受激跃迁辐射，感应光子能量应等于电子跃迁的能级之差，产生光子与感应光子的全同相干本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体激光器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种半导体激光器，其特征在于，所述下波导层为GaN、InGaN、InN、AlInN、AlInGaN、AlN、GaAs、GaP、InP、AlGaAs、AlInGaAs、AlGaInP、InGaAs、AlInAs、AlInP、AlGaP、InGaP、SiC、Ga2O3、BN的任意一种或任意组合。

3.根据权利要求1所述的一种半导体激光器，其特征在于，所述下波导层包括第一下波导层和第二下波导层，具体为：

4.根据权利要求1所述的一种半导体激光器，其特征在于，所述第一下波导层的菲利普电离度小于所...

【技术特征摘要】

1.一种半导体激光器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种半导体激光器，其特征在于，所述下波导层为gan、ingan、inn、alinn、alingan、aln、gaas、gap、inp、algaas、alingaas、algainp、ingaas、alinas、alinp、algap、ingap、sic、ga2o3、bn的任意一种或任意组合。

3.根据权利要求1所述的一种半导体激光器，其特征在于，所述下波导层包括第一下波导层和第二下波导层，具体为：

4.根据权利要求1所述的一种半导体激光器，其特征在于，所述第一下波导层的菲利普电离度小于所述第二下波导层的菲利普电离度，具体为：

5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑锦坚，陈婉君，李晓琴，刘紫涵，胡志勇，季徐芳，陈三喜，
申请(专利权)人：安徽格恩半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：