【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件领域,具体为一种跨界驱动器件。
技术介绍
1、dfn(dualflatno-leadpackage)是一种双边扁平无引脚的芯片封装方式,封装时需要用到引线框架。
2、现有技术中引线框架都是由铜片冲压而成,包括多个引线框架单元,引线框架单元之间由连筋连接起来,形成阵列,然后在引线框架上粘接上芯片、键合上丝线,再进行塑封,最后切割分离,得到单颗封装产品。此种引线框架材料利用率低,引脚强度一般,在焊线多次键合时容易变形,有待改进。
技术实现思路
1、针对现有技术中dnf封装过程中引线框架材料利用率较低的问题,本专利技术提供一种跨界驱动器件。
2、本专利技术是通过以下技术方案来实现:
3、一种跨界驱动器件,包括作为引线框架的bt基板,bt基板的正面上设有上芯区域和焊线区域,驱动ic芯片使用锡膏通过共晶回流焊工艺固定于上芯区域,驱动ic芯片与焊线区域电气连接;还包括覆盖于bt基板正面的驱动ic和键合丝上的塑封体;bt基板的正面和背面均设有由
...【技术保护点】
1.一种跨界驱动器件,其特征在于,包括作为引线框架的BT基板(1),BT基板(1)的正面(2)上设有上芯区域(7)和焊线区域(10),驱动IC(5)芯片使用锡膏(6)通过共晶回流焊工艺固定于上芯区域(7),驱动IC(5)芯片与焊线区域(10)电气连接;还包括覆盖于BT基板(1)正面(2)的驱动IC(5)和键合丝(4)上的塑封体(9);BT基板(1)的正面(2)和背面(3)均设有由金属镀层形成的导通线路。
2.根据权利要求1所述的跨界驱动器件,其特征在于,金属镀层与BT基板(1)表面之间设有铜箔。
3.根据权利要求2所述的跨界驱动器件,其特征在于
...【技术特征摘要】
1.一种跨界驱动器件,其特征在于,包括作为引线框架的bt基板(1),bt基板(1)的正面(2)上设有上芯区域(7)和焊线区域(10),驱动ic(5)芯片使用锡膏(6)通过共晶回流焊工艺固定于上芯区域(7),驱动ic(5)芯片与焊线区域(10)电气连接;还包括覆盖于bt基板(1)正面(2)的驱动ic(5)和键合丝(4)上的塑封体(9);bt基板(1)的正面(2)和背面(3)均设有由金属镀层形成的导通线路。
2.根据权利要求1所述的跨界驱动器件,其特征在于,金属镀层与bt基板(1)表面之间设有铜箔。
3.根据权利要求2所述的跨界驱动器件,其特征在于,金属镀层包括从靠近bt基板(1)表面到远离依次设置的镀铜层、镀镍层和镀银层。
4.根据权利要求2所述的跨界驱动器件,其特征在于,金属镀层通过电镀...
【专利技术属性】
技术研发人员:李京,连军红,周永寿,任旭锋,
申请(专利权)人:广东韶华科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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