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本发明公开了一种半导体激光器，从下至上依次设置衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层；所述有源层包括多个量子阱；所述下波导层包括第一下波导层和第二下波导层；其中，所述第一下波导层的菲利普电离度小于所述第二下波导层的菲利普电离度...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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