【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体检测领域，涉及一种芯片弹坑实验的和方法，尤其涉及一种砷化镓芯片弹坑实验的试剂及方法。
技术介绍
1、芯片pad是通过键合丝连接引脚，保证芯片的功能上发挥着重要的作用，弹坑实验则是去除pad表面的金属层观察下层是否有裂纹或穿孔，为芯片能够进行有效的检测，保证芯片的功能上发挥着重要的作用。传统的砷化镓弹坑实验会造成pad金属下层破损，无法观察下层是否有弹坑现象。由于砷化镓芯片对酸试剂敏感度极高，传统的弹坑实验会造成芯片表面电路有腐蚀过重出现断裂破损现象，在检测方面造成无法判定芯片功能失效原因的困扰。
技术实现思路
1、为解决现有技术中存在的技术问题，本专利技术提供一种砷化镓芯片弹坑实验的试剂及方法，所述试剂和方法可以准确观察pad下层的裂纹或穿孔，不会造成pad金属下层破损，也不会造成芯片表面电路因腐蚀过重而出现断裂破损现象。
2、为达到上述技术效果，本专利技术采用以下技术方案：
3、本专利技术目的之一在于提供一种砷化镓芯片弹坑实验的试剂，所述试剂为含有碘单质和碘盐的碱性溶液。
4、本专利技术中，砷化镓芯片弹坑实验的试剂采用含有碘单质和碘盐的碱性溶液的原因在于砷化镓芯片pad含有金物质的一种活泼元素，和含碘的混合溶液产生碘化物，加速金物质的腐蚀分解，乙酸可以保证芯片及pad弹坑后的表面清洁度。而传统磷酸对于含金物质的pad腐蚀作用较小，弹坑实验所需的时间更长，会导致芯片表面金属及pad出现不可挽回的损伤。
5、作为本专
6、作为本专利技术优选的技术方案，所述试剂包括碘单质、碘盐、酸和水。
7、作为本专利技术优选的技术方案，所述试剂中碘单质的摩尔浓度为13～15％，碘盐的摩尔浓度为28～30％，酸的摩尔浓度为6～8％。
8、其中，碘单质的摩尔浓度可以是13％、13.2％、13.5％、13.8％、14％、14.2％、14.5％、14.8％或15％等，碘盐的摩尔浓度可以是28％、28.2％、28.5％、28.8％、29％、29.2％、29.5％、29.8％或30％等，酸的摩尔浓度可以是7％、7.2％、7.5％、7.8％、8％、8.2％、8.5％、8.8％或9％等，但并不仅限于所列举的数值，上述各数值范围内其他未列举的数值同样适用。
9、作为本专利技术优选的技术方案，所述碘单质和碘盐的摩尔比为1:1.5～2.5，如1:1.5、1:1.6、1:1.7、1:1.8、1:1.9、1:2.0、1:2.1、1:2.2、1:2.3或1:2.4等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
10、本专利技术中，如果碘盐的添加量过大，即与碘单质的摩尔比超过2.5会造成芯片表面金属和pad的tin造成一定程度的破坏，影响后续芯片的测试效果。
11、作为本专利技术优选的技术方案，所述碘盐包括碘化钾。
12、作为本专利技术优选的技术方案，所述酸包括乙酸。
13、本专利技术目的之二在于提供一种砷化镓芯片弹坑实验的方法，所述方法包括将所述砷化镓芯片浸泡于上述任一种所述的用于砷化镓芯片弹坑实验的试剂中，取出后进行清洗和烘干。
14、作为本专利技术优选的技术方案，所述浸泡的时间为40～60min，温度为10～30℃。其中浸泡的时间可以是40min、42min、45min、48min、50min、52min、55min、58min或60min等，温度可以是10℃、12℃、15℃、18℃、20℃、22℃、25℃、28℃或30℃等，但并不仅限于所列举的数值，上述各数值范围内其他未列举的数值同样适用。
15、本专利技术中，限定浸泡温度并非浸泡必须在上述温度下进行，而是为了说明浸泡可以在常温状态下(无需加热)进行，10～30℃仅为常温的最常规情况。
16、作为本专利技术优选的技术方案，所述清洗包括使用浓硫酸、水和丙酮中依次清洗。其中，清洗在超声条件下进行，清洗的时间不低于5s。
17、本专利技术中，所述砷化镓芯片烘干前，采用酒精或丙酮对砷化镓进行冲洗并烘干。
18、与现有技术相比，本专利技术至少具有以下有益效果：
19、本专利技术提供一种砷化镓芯片弹坑实验的试剂及方法，所述试剂和方法可以准确观察pad下层的裂纹或穿孔，不会造成pad金属下层破损，也不会造成芯片表面电路因腐蚀过重而出现断裂破损现象。
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1.一种砷化镓芯片弹坑实验的试剂，其特征在于，所述试剂包括碘单质、碘化钾、乙酸和水，所述试剂的pH为9～10；
2.根据权利要求1所述的试剂，其特征在于，所述碘单质和碘盐的摩尔比为1:1.5～2.5。
3.一种砷化镓芯片弹坑实验的方法，其特征在于，所述方法包括将所述砷化镓芯片浸泡于权利要求1或2所述的砷化镓芯片弹坑实验的试剂中，取出后进行清洗和烘干。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述浸泡的时间为40～60min，温度为10～30℃。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述清洗包括使用浓硫酸、水和丙酮中依次清洗。
【技术特征摘要】
1.一种砷化镓芯片弹坑实验的试剂，其特征在于，所述试剂包括碘单质、碘化钾、乙酸和水，所述试剂的ph为9～10；
2.根据权利要求1所述的试剂，其特征在于，所述碘单质和碘盐的摩尔比为1:1.5～2.5。
3.一种砷化镓芯片弹坑实验的方法，其特征在于，所述方法包括将所述砷化...
【专利技术属性】
技术研发人员：尚跃，刘杨，
申请(专利权)人：上海聚跃检测技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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