【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体检测，具体涉及一种wlcsp封装芯片去球去pi去rdl的方法。
技术介绍
1、随着电子封装向小型化、高密度化发展，晶圆级芯片尺寸封装(wlcsp)成为芯片封装的重要形式，wlcsp引入了重布线(rdl)和凸点(bumping)技术，有效地减小了封装的体积，是实现高密度、高性能封装的重要技术，满足电子产品尺寸不断减小的需求。与此同时，随着半导体产品越来越多地进入市场，产品的失效可靠性测试也就成为验证半导体产品质量不可或缺的环节。wlcsp封装芯片的数量增多，也就意味着其失效率随之提升，而失效分析通常需要对芯片进行开盖并逐层分析。因此，芯片开盖的质量成为影响已封装芯片失效分析的重要因素。
2、wlcsp封装芯片由上至下依次含有锡球层，聚酰亚胺(pi)钝化层和铜重布线层(rdl)。目前，现有的wlcsp封装芯片去球去pi去rdl的方法主要采用纯溶液腐蚀法，通常采用发烟硝酸或含发烟硝酸的混酸溶液对芯片的封装进行腐蚀。但是，对于顶层金属和下层金属都是铜工艺的芯片而言，采用常规溶液腐蚀的方法容易导致酸液通过凸点处(bump球处)渗透到下层金属处，造成下层金属例如铜的腐蚀，无法保证铜键合线的完整性，不利于去封装后对于芯片的测试和分析。例如，cn108493123a中公开了一种覆晶芯片取裸片的制备方法及失效分析方法，包括：采用淋酸蚀刻的方式，利用滴管将加热后的所述发烟硝酸冲淋到经研磨所述冷埋固化胶体的所述裸片的正面，去除所述裸片正面的所述锡球、残留的封装结构及残留的冷埋固化胶体，达到所述裸片正面完全开封以得到裸片
3、不仅如此，目前仅采用化学腐蚀的处理方法通常需要配置不同的化学溶液，对腐蚀时间的控制也要求较高，处理工艺不仅花费时间长，而且检测质量未必达标。同时，化学腐蚀过程中往往存在一些不可控因素(包括时间、温度等)，最终影响检测效果。
4、因此，对于wlcsp封装芯片(尤其是顶层金属及下层金属是铜工艺的芯片)如何提升去球去pi去rdl的效果同时避免芯片过腐蚀的风险，是目前需要解决的问题。
技术实现思路
1、针对以上问题，本专利技术的目的在于提供一种wlcsp封装芯片去球去pi去rdl的方法，与现有技术相比，本专利技术提供的方法将物理和化学手段相结合，不仅去球、去pi、去rdl的效果良好，而且能够解决现有化学溶液腐蚀法导致的下层金属过腐蚀风险，同时能够提升检测质量和检测效率。
2、为达到此专利技术目的，本专利技术采用以下技术方案：
3、本专利技术提供一种wlcsp封装芯片去球去pi去rdl的方法，所述方法包括以下步骤：
4、(1)采用电烙铁将芯片上的锡球加热至熔化，然后采用吸焊带吸除熔化后的锡球，得到去球后的芯片；
5、(2)将步骤(1)得到的所述去球后的芯片进行碱蚀处理，然后清洗，得到去除pi胶后的芯片；
6、(3)将步骤(2)得到的所述去除pi胶后的芯片进行研磨至rdl层金属与下层金属出现分离，然后剥削去除rdl层金属，得到处理后的芯片。
7、本专利技术中通过吸焊带去球、碱蚀处理去pi以及研磨剥削去rdl的组合工艺，通过将物理和化学的处理方法相结合，避免了传统的化学溶液腐蚀法造成下层金属过腐蚀的问题。
8、优选地，步骤(1)所述加热的温度为250-380℃，例如可以是250℃、260℃、280℃、300℃、320℃、340℃、360℃或380℃，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
9、本专利技术中，优选控制加热的温度在特定范围，能够加速锡球熔化，使芯片表面的锡球能够被更快地去除。
10、优选地，步骤(2)所述碱蚀处理包括：将步骤(1)得到的所述去球后的芯片放入加热后的碱蚀剂中进行洗涤。
11、优选地，步骤(2)所述碱蚀剂包括乙二胺。
12、本专利技术中，以乙二胺为碱蚀剂去除pi胶的方法相比于采用离子蚀刻剂等刻蚀去除pi胶的方法而言，能够更加快速、均匀地去除芯片表面的pi胶，避免pi胶去除不均匀影响检测质量。
13、优选地，步骤(2)所述乙二胺的纯度≥99.9％，例如可以是99.9％、99.91％或99.92％，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
14、优选地，步骤(2)所述加热后的碱蚀剂的温度为80-100℃，例如可以是80℃、82℃、84℃、86℃、88℃、90℃、92℃、94℃、96℃、98℃或100℃，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
15、本专利技术中，优选控制加热后的碱蚀剂的温度在特定范围，能够避免温度过高发生爆炸，同时避免温度过低，无法充分去除芯片表面的pi胶。
16、优选地，步骤(2)所述去球后的芯片在碱蚀剂中洗涤的时间为30-60s，例如可以是30s、32s、34s、36s、38s、40s、42s、44s、46s、48s、50s、52s、54s、56s、58s或60s，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
17、优选地，步骤(2)所述清洗包括依次采用去离子水和丙酮进行清洗。
18、本专利技术中，先采用去离子水洗涤能够稀释碱蚀剂的碱性并去除碱蚀剂，再采用丙酮洗涤能够使芯片快速挥发掉表面的水渍。
19、优选地，步骤(3)所述研磨的方式包括：将芯片表面滴加研磨液后，采用抛光布进行研磨；所述抛光布的精度为1-0.02μm，例如可以是0.02μm、0.05μm、0.1μm、0.5μm、0.8μm或1μm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用；所述研磨液包括二氧化硅研磨液或者氧化铝研磨液；所述研磨液的用量为1-2滴；所述研磨的时间为1-2min，例如可以是1min、1.2min、1.4min、1.6min、1.8min或2min，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
20、本专利技术中，在采用碱蚀处理去除pi之后，芯片上的rdl布线层与下层金属有胶粘合的部分已经吃空，在此基础上，本专利技术进一步优选采用精度为1-0.02μm的抛光布进行研磨的方式，相比于采用研磨机进行自动研磨的方式而言，能够有效的避免因芯片局部研磨速率太快，造成表面不平，进而影响检测的质量。
21、优选地，所述处理后的芯片还进行步骤(4)：将步骤(3)得到的所述处理后的芯片采用光学显微镜进行拍照。
22、作为本专利技术的优选技术方案，所述方法包括以下步骤：
23、(1)采用电烙铁将芯片上的锡球在250-380℃下加热至熔化，然后采用吸焊带吸除熔化后的锡球，得到去球后的芯片；
24、(2)将步骤(1)得到的所述去球后的芯片进行碱蚀处理，所述碱蚀处理包括：将去球后的芯片放入加热后温度为80-100℃的乙二胺中进行洗涤30-60s，所述乙二胺的纯度≥99.9％，本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种WLCSP封装芯片去球去PI去RDL的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述WLCSP封装芯片去球去PI去RDL的方法，其特征在于，步骤(1)所述加热的温度为250-380℃。
3.根据权利要求1所述WLCSP封装芯片去球去PI去RDL的方法，其特征在于，步骤(2)所述碱蚀处理包括：将步骤(1)得到的所述去球后的芯片放入加热后的碱蚀剂中进行洗涤。
4.根据权利要求3所述WLCSP封装芯片去球去PI去RDL的方法，其特征在于，步骤(2)所述碱蚀剂包括乙二胺。
5.根据权利要求4所述WLCSP封装芯片去球去PI去RDL的方法，其特征在于，步骤(2)所述乙二胺的纯度≥99.9％。
6.根据权利要求3所述WLCSP封装芯片去球去PI去RDL的方法，其特征在于，步骤(2)所述加热后的碱蚀剂的温度为80-100℃。
7.根据权利要求3所述WLCSP封装芯片去球去PI去RDL的方法，其特征在于，步骤(2)所述去球后的芯片在碱蚀剂中洗涤的时间为30-60s。
8.根据权利要求1所
9.根据权利要求1所述WLCSP封装芯片去球去PI去RDL的方法，其特征在于，步骤(3)所述研磨的方式包括：将芯片表面滴加研磨液后，采用抛光布进行研磨；
10.根据权利要求1所述WLCSP封装芯片去球去PI去RDL的方法，其特征在于，所述处理后的芯片还进行步骤(4)：将步骤(3)得到的所述处理后的芯片采用光学显微镜进行拍照。
...【技术特征摘要】
1.一种wlcsp封装芯片去球去pi去rdl的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述wlcsp封装芯片去球去pi去rdl的方法，其特征在于，步骤(1)所述加热的温度为250-380℃。
3.根据权利要求1所述wlcsp封装芯片去球去pi去rdl的方法，其特征在于，步骤(2)所述碱蚀处理包括：将步骤(1)得到的所述去球后的芯片放入加热后的碱蚀剂中进行洗涤。
4.根据权利要求3所述wlcsp封装芯片去球去pi去rdl的方法，其特征在于，步骤(2)所述碱蚀剂包括乙二胺。
5.根据权利要求4所述wlcsp封装芯片去球去pi去rdl的方法，其特征在于，步骤(2)所述乙二胺的纯度≥99.9％。
6.根据权利要求3所述wlcsp封装芯片去球去pi去r...
【专利技术属性】
技术研发人员：余夕霞，沈玲，
申请(专利权)人：上海聚跃检测技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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