【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于芯片的抗辐射处理，具体地，涉及一种嵌入式存储芯片的采用高抗材料加固工艺封装方法。
技术介绍
1、为延长电子元器件在太空环境中的使用寿命，以及提高电子元器件在太空环境中，对于电子元器件的核心零件芯片进行抗辐射加固封装，以保证芯片能够在存在着各种辐射粒子如α粒子、β粒子、γ射线、x光、质子、电子、高能量离子等太空环境中正常运行。现有的常见的屏蔽材料主要有金属、金属-陶瓷、金属-环氧树脂、有机薄膜等。其中，有机薄膜抗辐射材料因质量轻以及其封装方法简单，广受电子元器件抗辐射研究领域的重视。但是，有机薄膜抗辐射能力较弱，需要进行抗辐射增强改性，同才可用于芯片表面的封装。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种嵌入式存储芯片的采用高抗材料加固工艺封装方法。
2、本专利技术要解决的技术问题：
3、本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：
4、一种嵌入式存储芯片的采用高抗材料加固工艺封装方法，包括：
5、将环氧树脂、改性碳纤维、抗辐射增强剂和丙酮在室温下搅拌均匀，随后加热回收丙酮，再经第一次剪切后，加入固化剂和固化促进剂，继续第二次剪切，得高抗材料分散液，随后经固化，得高抗材料壳体，其中，所述高抗材料，按重量份计，包括100份环氧树脂、20-30份抗辐射增强剂、20-25份改性碳纤维、12-30份固化剂、1-3份固化促进剂；
6、同高抗材料分散液的原料和分散步骤，经分散得粘结剂分散液，其中，所述粘结剂，按重量份计，
7、将高抗材料通过粘结剂分散液粘结在嵌入式存储芯片的表面。
8、进一步地，所述高抗材料壳体的厚度为1-5mm。
9、进一步地，所述第一次剪切条件为1000-1500rpm下剪切15-25min，所述第二次剪切条件为1000-1500rpm下剪切10-20min。
10、进一步地，所述壳体的固化温度为100-130℃。
11、进一步地，所述抗辐射增强剂包括以下步骤制成：
12、步骤i、将2,6-双(氨甲基)吡啶、丙三醇三缩水甘油醚按照摩尔质量比1：3.05-3.2配比和四氢呋喃混合均匀后，在碱性条件下反应后，旋蒸，得支化单体；
13、步骤ii、将支化单体和二甲基乙酰胺混合均匀后，加入氯化铅的硝酸铵溶液，搅拌均匀后，在ph9-10下经分段反应后，旋蒸，得抗辐射增强剂。
14、在步骤i中，利用了2,6-双(氨甲基)吡啶中的氨基和丙三醇三缩水甘油醚中的环氧基的反应，制成支化单体，且2,6-双(氨甲基)吡啶、丙三醇三缩水甘油醚按照摩尔质量比1：3.05-3.2，使得每摩尔支化单体中含有一摩尔氨基和两摩尔环氧基，为后续的超支化反应奠定基础。
15、进一步地，所述支化单体制成的反应条件为ph9-10、40-60℃下反应4-6h。
16、进一步地，在支化单体反应中，为提高所得聚合物的分子量，本专利技术采用了分段反应，所述分段反应反应条件为80-90℃搅拌反应2-4小时，升温至90-100℃继续搅拌反应1-3h；
17、在支化单体发生自超支化反应过程中，本专利技术采用在原料混合阶段引入铅离子，利用支化单体中的吡啶氮与铅离子的配位作用，使得在支化单体发生自超支化反应中，铅离子自动进入支化单体发生自超支化反应形成的超支化聚合物的空腔中，使得铅离子能够均匀分布在所得的超支化聚合物中，基于铅离子的抗辐射能力，得抗辐射增强剂；
18、所述抗辐射增强剂的突出点在于结合了有机物和抗辐射金属的双重属性，其中，有机物为超支化聚合物，对其中的抗辐射金属起到分散促进作用，且超支化聚合物和环氧树脂混合性能好，加工性能好，在加工时不会出现原料的分层或析出现象，进一步地，所述超支化聚合物端基含有的氨基或环氧基均可与环氧树脂再次进行交联，提高所得高抗材料的力学性能和耐久性能(耐热稳定性、耐溶剂腐蚀稳定性等)。
19、进一步地，所述氯化铅中铅的加入质量为支化单体加入质量的50-75％。
20、进一步地，所述改性碳纤维包括以下步骤制成：
21、将碳纤维、钛酸四丁酯和无水乙醇超声分散，滴加催化剂水溶液，加热至60-70℃，搅拌6-10h，停止反应，过滤，滤饼水洗和乙醇洗涤，得改性碳纤维。
22、在上述步骤中，利用太酸四丁酯的水解过程中形成高活性的醇羟基键，与碳纤维表面的羟基形成侨联，而太酸四丁酯的水解获得了二氧化钛，由此可知，上述反应获得的改性碳纤维为碳纤维表面包裹有二氧化钛颗粒。
23、该改性碳纤维引入环氧树脂中，其表面包裹的二氧化钛颗粒增加了其表面粗糙性，改善了碳纤维与环氧树脂的界面性能，促进碳纤维对环氧树脂机械强度的改进，其次，二氧化钛在碳纤维表面锚固，防止其在环氧树脂中团聚，充分发挥其抗腐蚀增强作用，最后，碳纤维和二氧化钛的这种结合引入到环氧树脂，有利于减少环氧树脂内的化学键断裂、原子位移等辐射损伤，提升了聚合物的力学性能、热稳定性以及尺寸稳定性。
24、进一步地，所述碳纤维、钛酸四丁酯、无水乙醇、催化剂水溶液的质量比为10:4-6:15-30：30-60；所述催化剂水溶液由无水乙醇、水和氢氧化钠按照质量比为20-50:5-10:2-4。
25、进一步地，所述环氧树脂为环氧值为双酚a二缩水甘油醚，0.51-0.53。
26、进一步地，所述固化剂为基四氢苯酐、甲基六氢苯酐、邻苯二甲酸酐、二苯醚四酸二酐、三乙烯四胺、4,4′-二氨基二苯甲烷、4,4′-二氨基二苯砜、二乙基甲苯二胺、二氰二胺中的一种或几种任意比的混合物。
27、进一步地，所述固化促进剂为3-苯基-1,1-二甲基脲、3、4-二氯苯基-n，n-二甲基脲、2，4-二甲苯双二甲脲，苯基二甲脲、2-乙基-4-甲基咪唑、2-甲基咪唑中的一种或几种任意比的混合物。
28、本专利技术的有益效果：
29、本专利技术提供的一种嵌入式存储芯片的采用高抗材料加固工艺封装方法，本专利技术采用高抗材料制成壳体，壳体与嵌入式存储芯片之间通过粘结剂粘接，其中，高抗材料和粘结剂均具有抗辐射性能，对嵌入式存储芯片起到抗辐射增强作用，且所述粘结剂和高抗材料的原料相同，尽在组分间的配比不同，以分别实现高抗材料壳体保护作用和粘结剂粘合的作用；
30、其中，所述高抗材料和粘结剂均包括环氧树脂、抗辐射增强剂、改性碳纤维、固化剂和固化促进剂组成，其中，所述抗辐射增强剂和改性碳纤维的共同引入提高了所述高抗材料和粘结剂的抗辐射性能，以及耐久性能，用二者作为嵌入式存储芯片的封装材料，实现了对嵌入式存储芯片抗辐射增强作用。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种嵌入式存储芯片的采用高抗材料加固工艺封装方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种嵌入式存储芯片的采用高抗材料加固工艺封装方法，其特征在于，所述高抗材料，按重量份计，包括100份环氧树脂、20-30份抗辐射增强剂、20-25份改性碳纤维、12-30份固化剂、1-3份固化促进剂；所述高抗材料壳体的厚度为1-5mm。
3.根据权利要求1所述的一种嵌入式存储芯片的采用高抗材料加固工艺封装方法，其特征在于，所述粘结剂，按重量份计，包括100份环氧树脂、5-15份抗辐射增强剂、2-8份改性碳纤维、12-30份固化剂、1-3份固化促进剂。
4.根据权利要求1所述的一种嵌入式存储芯片的采用高抗材料加固工艺封装方法，其特征在于，所述第一次剪切条件为1000-1500rpm下剪切15-25min，所述第二次剪切条件为1000-1500rpm下剪切10-20min；所述壳体的固化温度为100-130℃。
5.根据权利要求1所述的一种嵌入式存储芯片的采用高抗材料加固工艺封装方法，其特征在于，所述抗辐射增强剂包括以下步骤制成：
<...【技术特征摘要】
1.一种嵌入式存储芯片的采用高抗材料加固工艺封装方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种嵌入式存储芯片的采用高抗材料加固工艺封装方法，其特征在于，所述高抗材料，按重量份计，包括100份环氧树脂、20-30份抗辐射增强剂、20-25份改性碳纤维、12-30份固化剂、1-3份固化促进剂；所述高抗材料壳体的厚度为1-5mm。
3.根据权利要求1所述的一种嵌入式存储芯片的采用高抗材料加固工艺封装方法，其特征在于，所述粘结剂，按重量份计，包括100份环氧树脂、5-15份抗辐射增强剂、2-8份改性碳纤维、12-30份固化剂、1-3份固化促进剂。
4.根据权利要求1所述的一种嵌入式存储芯片的采用高抗材料加固工艺封装方法，其特征在于，所述第一次剪切条件为1000-1500rpm下剪切15-25min，所述第二次剪切条件为1000-1500rpm下剪切10-20min；所述壳体的固化温度为100-130℃。
5.根据权利要求1所述的一种嵌入式存储芯片的采用高抗材料加固工艺封装方法，其特征在于，所述抗辐射增强剂包...
【专利技术属性】
技术研发人员：李修录，尹善腾，朱小聪，
申请(专利权)人：深圳市安信达存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。