本发明专利技术公开了一种芯片内部闪存组合RIAD阵列方法，涉及数据闪存技术领域，对芯片内部所存在的闪存单元进行信息读取，并根据信息读取结果对闪存单元进行分级，获得对应的闪存阵列；将所需要在芯片内进行闪存的数据导入至闪存入口内，并确定初始闪存阵列；根据在芯片内进行闪存的数据的数据量以及闪存单元的分级结果，建立闪存单元的闪存组合阵列链路，并通过所建立的闪存组合阵列链路，对所需要进行闪存的数据进行分布式存储；完成对所需要进行闪存的数据进行分布式存储后，对初始闪存阵列内的闪存单元进行信息更新，并将所有的闪存单元进行重新分级，获得新的闪存阵列，解决了闪存单元使用频率不均衡的问题，提高闪存阵列的使用寿命。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及数据闪存，具体是一种芯片内部闪存组合riad阵列方法。
技术介绍
1、闪存(flash memory)作为一种集成电路存储器件，由于其具有电可擦写存储信息的功能，而且断电后存储的信息不会丢失，因而被广泛应用于如便携式电脑、手机、数码音乐播放器等电子产品；
2、现有技术中，对于所需要闪存的数据，往往是将闪存阵列内的某一闪存单元的有效容量全部占用后，再去使用其他闪存单元完成数据的闪存过程，这样的方式会使得部分闪存单元的使用频率不均衡，从而影响部分使用频率较高的闪存单元的寿命和性能，进而影响闪存阵列整体性能，如何能够使得闪存阵列内的闪存单元的使用频率更加均衡，从而提高闪存阵列的使用寿命，是我们需要解决的问题，为此，现提供一种芯片内部闪存组合riad阵列方法。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种芯片内部闪存组合riad阵列方法。
2、本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：一种芯片内部闪存组合riad阵列方法，包括以下步骤：
3、步骤s1：对芯片内部所存在的闪存单元进行信息读取，并根据信息读取结果对闪存单元进行分级，获得对应的闪存阵列；
4、步骤s2：将所需要在芯片内进行闪存的数据导入至闪存入口内，并确定初始闪存阵列；
5、步骤s3：根据在芯片内进行闪存的数据的数据量以及闪存单元的分级结果，建立闪存单元的闪存组合阵列链路，并通过所建立的闪存组合阵列链路，对所需要进行闪存的数据进行分布式存储；
>6、步骤s4：完成对所需要进行闪存的数据进行分布式存储后，对初始闪存阵列内的闪存单元进行信息更新，并将所有的闪存单元进行重新分级，获得新的闪存阵列。7、进一步的，对闪存单元进行分级的过程包括：
8、读取芯片内部所存在的闪存单元，所述闪存单元为具有不同存储空间的flash闪存晶圆；
9、获取每个闪存单元的有效容量；
10、设置若干个容量区间范围，将所设置的容量区间范围数量记为m，所述容量区间范围的数量为固定值，且容量区间范围的数量与闪存单元的总数量呈整数倍关系；
11、将闪存单元的有效容量与所设置的容量区间范围进行匹配，根据匹配结果，将闪存单元对相匹配的容量区间范围进行关联；
12、将与同一容量区间范围相关联的闪存单元进行汇总，获得对应的闪存阵列。
13、进一步的，所述初始闪存阵列的确定过程包括：
14、将所有的闪存单元的初始状态标记为“0”；
15、获取每个闪存阵列内初始状态标记为“0”的闪存单元，并在每个闪存阵列内选择一个闪存单元，并将所选择的闪存单元的初始状态更新为“1”；
16、将所选择的闪存单元进行汇总，并根据所汇总的闪存单元建立对应的初始闪存阵列；
17、创建与初始闪存阵列相关联的载入链接，通过载入链接将所需要闪存的数据导入至初始闪存阵列内，并根据导入至初始闪存阵列内的数据的数量以及闪存单元的分级结果建立闪存单元的闪存组合阵列链路。
18、进一步的，所述闪存组合阵列链路的建立过程具体包括：
19、建立与初始闪存阵列内各个闪存单元相链接的数据传输链路，并根据每个闪存单元所关联的闪存阵列对应的分级级别，将所建立的数据传输链路按照与其相链接的闪存单元所关联的闪存阵列对应的分级级别按照由高到低进行排序；
20、根据排序结果对每个数据传输链路赋予对应的校验识别序列，并将所赋予的校验识别序列与对应的数据传输链路相关联；
21、将所有建立的数据传输链路进行汇总，构成闪存组合阵列链路，通过所构成的闪存组合阵列链路对所需要进行闪存的数据进行分布式存储。
22、进一步的，所述校验识别序列由若干位二进制码元组成的二进制序列，且每个数据传输链路所关联的校验识别序列的长度一致。
23、进一步的，对所需要进行闪存的数据进行分布式存储的具体过程包括：
24、将需要闪存的数据转化为对应的数据流；
25、将所获得的数据流根据数据传输链路的数量分解为若数据流片段，其中，所述数据流片段的数据长度均相同；
26、将所获得的数据流片段导入至闪存组合阵列链路内的各个数据传输链路传输内；
27、将与数据传输链路相关联的校验识别序列插入至所导入的数据流片段末端，获得待存储数据流片段；
28、将所获得的待存储数据流片段分别导入至对应的闪存单元内，完成对需要闪存的数据的分布式存储。
29、进一步的，在完成对需要闪存的数据的分布式存储后，对初始闪存阵列内的闪存单元进行信息更新，并将所有的闪存单元进行重新分级的过程包括：
30、获取待存储数据流片段闪存至各个闪存单元内后，闪存单元剩余的有效容量，并将闪存单元的有效容量更新为剩余的有效容量；
31、将剩余的有效容量与不同的容量区间范围进行匹配，根据匹配结果将闪存单元归入对应的容量区间范围的闪存阵列；
32、对每个闪存阵列进行检索，并获取对应的检索结果，所述检索结果为每个闪存阵列内是否存在至少一个初始状态为“0”的闪存单元；
33、若闪存阵列内均存在至少一个初始状态为“0”的闪存单元，则不对闪存单元进行重新分级；
34、若闪存阵列不存在初始状态为“0”的闪存单元，即闪存阵列内的闪存单元的初始状态均为“1”；
35、则获取所有闪存单元的剩余的有效容量，并将闪存单元根据剩余的有效容量由高到低进行排序；
36、根据排序结果将闪存单元进行数量等分，根据数量等分结果，构建新的闪存阵列，并将新的闪存阵列内的闪存单元的初始状态更新为“0”。
37、进一步的，所述数量等分的具体过程为：
38、闪存单元的数量为n个，容量区间范围的数量为m个；
39、则将闪存单元完成排序后，将闪存单元按顺序分为n/m组；
40、将每组闪存单元分别与对应的容量区间范围进行相关联，从而获得新的闪存阵列。
41、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：通过将闪存单元进行分级后，将闪存单元划分为若干个闪存阵列，从而使得在需要对数据进行闪存时，能够通过在各个闪存阵列内选择闪存单元构成独立的初始闪存阵列，用于对所需要闪存的数据进行闪存，并在初始闪存阵列内的闪存单元完成数据的闪存后，不再在下一次需要进行数据闪存时，会被再次使用，而是优先使用那些未被使用过的闪存单元再重新构建新的初始闪存阵列，从而使得闪存单元的使用频率能够更加均衡，进而提高闪存阵列的使用寿命。
本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种芯片内部闪存组合RIAD阵列方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种芯片内部闪存组合RIAD阵列方法，其特征在于，对闪存单元进行分级的过程包括：
3.根据权利要求2所述的一种芯片内部闪存组合RIAD阵列方法，其特征在于，所述初始闪存阵列的确定过程包括：
4.根据权利要求3所述的一种芯片内部闪存组合RIAD阵列方法，其特征在于，所述闪存组合阵列链路的建立过程具体包括：
5.根据权利要求4所述的一种芯片内部闪存组合RIAD阵列方法，其特征在于，所述校验识别序列由若干位二进制码元组成的二进制序列，且每个数据传输链路所关联的校验识别序列的长度一致。
6.根据权利要求5所述的一种芯片内部闪存组合RIAD阵列方法，其特征在于，对所需要进行闪存的数据进行分布式存储的具体过程包括：
7.根据权利要求6所述的一种芯片内部闪存组合RIAD阵列方法，其特征在于，在完成对需要闪存的数据的分布式存储后，对初始闪存阵列内的闪存单元进行信息更新，并将所有的闪存单元进行重新分级的过程包括：
8.根据权利要求7所述的一种芯片内部闪存组合RIAD阵列方法，其特征在于，所述数量等分的具体过程为：
...
【技术特征摘要】
1.一种芯片内部闪存组合riad阵列方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种芯片内部闪存组合riad阵列方法，其特征在于，对闪存单元进行分级的过程包括：
3.根据权利要求2所述的一种芯片内部闪存组合riad阵列方法，其特征在于，所述初始闪存阵列的确定过程包括：
4.根据权利要求3所述的一种芯片内部闪存组合riad阵列方法，其特征在于，所述闪存组合阵列链路的建立过程具体包括：
5.根据权利要求4所述的一种芯片内部闪存组合riad阵列方法，其特征在于，所述校验识别序列由若干...
【专利技术属性】
技术研发人员：李修录，朱小聪，尹善腾，
申请(专利权)人：深圳市安信达存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。