一种抑制气体对流的MPCVD装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种抑制气体对流的MPCVD装置，包括壳体、微波天线、基片、微波窗口、第一进气口、第二进气口、出气口、观察窗和测温孔组成；微波窗口放置于壳体与微波天线装置之间，用于在壳体内部形成真空部分，微波经微波窗口进入壳体真空部分形成等离子体，等离子体位于基片上方，本装置优点为有两个独立的进气口，第一进气口呈环装包围等离子体，第二进气口位于等离子体正上方，气体分别从侧面和正上方进入等离子体，第一和第二进气口的气体在等基片上方相遇，抑制对流产生，产生的废气由出气口排出，此装置对于抑制气体对流以提高金刚石的均匀性具有益处。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微波等离子体化学气相沉积相关，尤其涉及一种抑制气体对流的mpcvd装置。

技术介绍

1、金刚石具有高硬度，优异的导热性和光学性能，高的禁带宽度等性能，在工业领域方面获得了越来越多的应用。但是天然金刚石含量稀少，开采成本高，难以在工业领域大范围应用。随着时代发展，人工制备金刚石技术逐渐成熟。目前主要有高温高压法(hpht)和化学气相沉积法(cvd)。其中hpht法主要用于生产磨料级金刚石颗粒材料。而cvd法则多用于生产大尺寸金刚石材料。其中cvd方面主要的制备方法主要包括热丝法，直流喷射法和微波等离子体法(mpcvd)等。这三种方法物理原理相似，都是通过某种能量将反应气体活化电离，以获得金刚石生长需要的组分。在这三种技术中，mpcvd法因为是无电极放电，功率升高连续可控等优点，是制备高质量金刚石材量的重要方法。

2、随着工业的发展，对金刚石材料的质量要求越来越高。对于金刚石材料的合成而言，气流分布起着重要的影响。一般而言，目前的装置进气方式几乎都是自上而下进入等离子体并到达基片。如seki diamond公司的进气装置在壳体上方壳壁本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种抑制气体对流的MPCVD装置，其特征在于，包括壳体(1)、微波天线装置(2)、基片(3)、微波窗口(4)、第一进气装置(5)、第二进气装置(6)、出气装置(7)、观察窗(9)和测温孔(10)；

2.根据权利要求1所述的一种抑制气体对流的MPCVD装置，其特征在于，存在两个独立的进气口，其中所述第一进气口(5)呈环装包围等离子体，装置上开有三个或更多可小孔，气体从小孔中喷出，进入等离子体。

3.根据权利要求2所述的一种抑制气体对流的MPCVD装置，其特征在于，所述第二进气口(6)位于等离子体正上方，气体从顶部进入等离子体，并与第一进气口(5)喷出的气体在基片...

【技术特征摘要】

1.一种抑制气体对流的mpcvd装置，其特征在于，包括壳体(1)、微波天线装置(2)、基片(3)、微波窗口(4)、第一进气装置(5)、第二进气装置(6)、出气装置(7)、观察窗(9)和测温孔(10)；

2.根据权利要求1所述的一种抑制气体对流的mpcvd装置，其特征在于，存在两个独立的进气口，其中所述第一进气口(5)呈环装包围等离子体，装置上开有三个或更多可小孔，气体从小孔中...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁明辉，刘艳青，刘杰，
申请(专利权)人：苏州鸣芯金刚石科技有限公司，
类型：发明
国别省市：