【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，涉及但不限于一种半导体结构及其制作方法、存储器。
技术介绍
1、随着电子设备普及率快速提升、电子设备市场的蓬勃发展，越来越要求电子产品在具有高性能、多功能、高可靠性以及便捷性的同时要向着小型化、薄型化的方向演进。这样的需求对存储器的结构、制备工艺等都提出了更高的要求。
技术实现思路
1、基于此，为解决相关技术问题中的一个或多个，本公开实施例提出了一种半导体结构及其制作方法、存储器。
2、一方面，根据本公开实施例提供了一种半导体结构，包括：
3、衬底；
4、多个沿相交的第一方向和第二方向呈阵列排布的晶体管组，位于所述衬底上；每一所述晶体管组包括：沿第一方向并列排布的第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管和所述第二晶体管均包括：
5、沟道区；
6、源极、漏极，位于所述沟道区沿第三方向上相对的两端；所述第三方向与所述衬底的表面垂直，所述第一方向、第二方向均与所述第三方向垂直；以及
7、栅极，位于所述沟道区在...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述连接结构在所述第一方向的正投影位于所述第一晶体管的沟道区和所述第二晶体管的沟道区在所述第一方向的正投影内。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，每一所述连接结构与一个晶体管组中的第一晶体管的沟道区和第二晶体管的沟道区连接；
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：多个隔离结构，每一所述隔离结构位于沿第一方向相邻设置的两...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述连接结构在所述第一方向的正投影位于所述第一晶体管的沟道区和所述第二晶体管的沟道区在所述第一方向的正投影内。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，每一所述连接结构与一个晶体管组中的第一晶体管的沟道区和第二晶体管的沟道区连接；
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：多个隔离结构，每一所述隔离结构位于沿第一方向相邻设置的两个所述晶体管组之间。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底中形成有外围电路。
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括键合层，位于所述衬底和所述位线之间，所述字线、位线均通过所述键合层与所述外围电路连接。
9.一种存储器，其特征在于，包括：如权利要求1-7中任一项所述的半导体结构。
...【专利技术属性】
技术研发人员：林超，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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