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本公开实施例提出了一种半导体结构及其制作方法、存储器，所述半导体结构包括：衬底；多个沿相交的第一方向和第二方向呈阵列排布的晶体管组，位于所述衬底上；每一所述晶体管组包括：沿第一方向并列排布的第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管和所述第二晶...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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