【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，具体而言，涉及一种半导体结构及其形成方法，存储器。
技术介绍
1、随着移动设备的不断发展，手机、平板电脑、可穿戴设备等带有电池供电的移动设备被越来越多地应用于生活中，存储器作为移动设备中必不可少的元件，人们对存储器的小体积、集成化提出了巨大的需求。
2、然而，动态存储器主要包括晶体管和电容组成的存储单元，该存储单元的体积较大，使得单位面积内可布局的存储单元较少，产品集成度较低，且现有的存储单元中的电容漏电现象较为严重，功耗较大。
3、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开提供一种半导体结构及其形成方法、存储器，可提高器件集成度，并减少漏电。
2、根据本公开的一个方面，提供一种半导体结构，包括：
3、第一衬底，包括沟槽；
4、电子捕获层，覆盖所述第一衬底的表面，且随形贴附于所述沟槽的内
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【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电子捕获层包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述电子捕获层还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一阻挡层的材料与所述第二阻挡层的材料相同，且所述捕获层的材料与所述第一阻挡层的材料不同。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一阻挡层的材料与所述第二阻挡层的材料均为氧化硅，所述捕获层的材料为氮化硅。
6.根据权利要求1-5任一项所述的半导体结构，其特征在于，...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电子捕获层包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述电子捕获层还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一阻挡层的材料与所述第二阻挡层的材料相同，且所述捕获层的材料与所述第一阻挡层的材料不同。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一阻挡层的材料与所述第二阻挡层的材料均为氧化硅，所述捕获层的材料为氮化硅。
6.根据权利要求1-5任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述第一衬底和所述第二衬底均为p型衬底；所述第一掺杂区和所述第二掺杂区均为n型掺杂区。
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一掺杂区与所述第二衬底的接触部沿所述沟槽的深度方向向靠近所述第一衬底的方向延伸。
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
9.一种半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖昱程，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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