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本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法，存储器。本公开的半导体结构可包括第一衬底、电子捕获层和第二衬底，其中：第一衬底包括沟槽；电子捕获层覆盖第一衬底的表面，且随形贴附于沟槽的内壁；第二衬底位于电子捕获层远离第一衬底的表...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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