【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，涉及但不限于一种半导体结构及其制作方法、存储器及其制作方法。
技术介绍
1、随着电子设备普及率快速提升、电子设备市场的蓬勃发展，越来越要求电子产品在具有高性能、多功能、高可靠性以及便捷性的同时要向着小型化、薄型化的方向演进。这样的需求对存储器的结构、制备工艺等都提出了更高的要求。
技术实现思路
1、基于此，为解决相关技术问题中的一个或多个，本公开实施例提出了一种半导体结构及其制作方法、存储器及其制作方法。
2、根据本公开实施例，提供了一种半导体结构，包括：
3、多个呈阵列排布的有源结构；每一所述有源结构包括沿第一方向并列排布的第一部分和第二部分以及连接所述第一部分底部和所述第二部分底部的第三部分，所述第一部分和第二部分均沿第三方向延伸；
4、多条位线，每条所述位线沿所述第一方向延伸，且与多个所述第三部分连接；
5、多条字线，每条所述字线沿第二方向延伸，且覆盖多个所述第一部分的部分侧壁和/或多个所述第二部分的部分侧壁；多个存储...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述有源结构的第三部分沿所述第三方向延伸至所述位线中；
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述有源结构的第三部分沿所述第三方向延伸至所述位线中的尺寸小于所述位线沿第三方向的尺寸的一半。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，相邻位线上的多个有源结构对齐排布；
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一部分沿所述第一方向的尺寸与所述第二部分沿所述第一方向的尺寸基本相同。
6.根据权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述有源结构的第三部分沿所述第三方向延伸至所述位线中；
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述有源结构的第三部分沿所述第三方向延伸至所述位线中的尺寸小于所述位线沿第三方向的尺寸的一半。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，相邻位线上的多个有源结构对齐排布；
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一部分沿所述第一方向的尺寸与所述第二部分沿所述第一方向的尺寸基本相同。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述有源结构中第一部分与第二部分沿所述第一方向的间距与沿第一方向相邻的两个有源结构沿所述第一方向的间距基本相同。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：绝缘层和介质层；
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述漏电防止线位于所述第三部分与所述介质层之间且位于所述第一部分和所述第二部分之间；所述漏电防止线通过所述绝缘层与所述第三部分、所述介质层、所述第一部分、所述第二部分均间隔开。
10.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离结构的材料包括气体。
12.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第一部分和所述第二部分沿所述第一方向相对设置的两个侧壁均与相邻的两条字线连接。
13.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述存储结构包括电容、含有存储节点的晶体管或磁性隧道结...
【专利技术属性】
技术研发人员：邵光速，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。