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半导体结构及其制作方法、存储器及其制作方法技术
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文档序号:41356738
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本公开实施例提出了一种半导体结构及其制作方法、存储器及其制作方法,所述半导体结构包括:多个呈阵列排布的有源结构;每一所述有源结构包括沿第一方向并列排布的第一部分和第二部分以及连接所述第一部分底部和所述第二部分底部的第三部分,所述第一部分和第...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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