【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构及制备方法。
技术介绍
1、半导体存储器，例如，动态随机存储器(dynamic random access memory，dram)通常包括用于存储数据的单元阵列区，以及位于单元阵列区外围的外围电路区。目前，随着存储单元集成度的不断增加，存储单元高度也越来越大，延伸至不同源漏端、字线或者位线上的接触孔所需蚀刻的深度越来越大，彼此间的距离越来越小，对于接触孔的蚀刻工艺以及刻蚀停止层的工艺也提出了更高的要求。
2、常规设计中，一般为将外围电路区的接触结构与单元阵列区的接触结构在同一制备工艺制备，因此，由于外围电路区和单元阵列区的接触结构需求不同，且外围电路区的接触孔的高度较单元阵列区的接触孔深宽比较大，接触结构的顶部尺寸较大，且接触结构之间或接触结构与金属导线之间距离较近，从而出现接触结构之间或与金属导线之间漏电等情况。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种半导体结构及制备方法，至少有利于改善相邻接触结构之间的漏电流问题。
...【技术保护点】
1.一种半导体结构，特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿垂直于所述基底表面的方向，位于所述接触结构的侧面的所述保护层的底面不高于所述金属层的底面。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层还位于所述第一介质层的顶面，贯穿位于所述接触结构顶面的所述保护层的所述金属层还贯穿位于所述第一介质层顶面的所述保护层并位于所述第一介质层内。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：介电层，所述介电层位于所述金属层与所述保护层之间以及所述金属层的侧面。
5.根据权利要求4...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿垂直于所述基底表面的方向，位于所述接触结构的侧面的所述保护层的底面不高于所述金属层的底面。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层还位于所述第一介质层的顶面，贯穿位于所述接触结构顶面的所述保护层的所述金属层还贯穿位于所述第一介质层顶面的所述保护层并位于所述第一介质层内。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：介电层，所述介电层位于所述金属层与所述保护层之间以及所述金属层的侧面。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述介电层的材料与所述保护层的材料相同。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层的材料的介电常数大于等于7。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，包括：多个所述接触结构，至少一个所述接触结构与一所述金属层相对且电接触，且至少存在一个所述金属层位于两个相邻所述接触结构之间。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第二介质层，所述第二介质层位于所述保护层的顶面且填充相邻所述金属层与所述保护层之间的间隙。
9.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的制备方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶伟，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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