一种磷化铟多晶合成设备制造技术

本技术涉及一种磷化铟多晶合成设备，包括外部保温层、红磷加热容器、磷蒸气限流元件、多晶合成容器以及磷蒸气回收元件。通过上下分层设置，将红磷加热容器置于炉体的下层，从而扩大红磷蒸发的表面积，实现在短时间内生成所需数量的磷蒸气。通过限流元件的作用，在产生足够数量的磷蒸气时，控制磷蒸气的压力以达到预设值。在这一过程中，限位弹簧被压缩，使第一入口挡板与第二入口挡板上的气孔相互连接，使磷蒸气能够进入多晶合成容器，实现了对磷蒸气供应的稳定控制。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体材料制备领域，具体为一种磷化铟多晶合成设备。

技术介绍

1、磷化铟(inp)作为第二代化合物半导体材料，因其热导率和电子迁移率高等优越性能被广泛应用于微波技术和通信等领域。

2、目前高质量inp的制备主要分为多晶合成与单晶生长两个阶段，多晶材料的特性对单晶的生长和特性有着关键影响，高纯度、无夹杂的inp多晶是生长高质量inp的前提条件。

3、磷化铟多晶是由元素铟和元素磷化合而成，通常采用磷注入法合成磷化铟多晶，即将红磷和高纯铟分别放置于两个高温加热区，通过控制温度将高纯铟熔融，将固体红磷加热至气态，然后将磷蒸气通入铟熔液中合成磷化铟多晶料。

4、红磷固体加热到磷蒸气的速率受到其蒸发表面积大小的影响，如果红磷蒸发表面积太小，就会导致短时间内无法产生足够量的磷蒸气用于化合反应，但如果短时间内产生的磷蒸气太多又会导致反应消耗不及时，而脱离高温加热环境的磷蒸气凝固，污染炉体并导致原料的浪费。

技术实现思路

1、针对上述现有技术的不足，本技术提供了一种磷化铟多晶合成设本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种磷化铟多晶合成设备，包括炉体，炉体外设有外保温层，炉体内设有红磷加热容器、多晶合成容器、磷蒸气限流组件和磷蒸气回收组件；

2.如权利要求1所述的一种磷化铟多晶合成设备，其特征在于：所述磷蒸气回收组件位于炉体右端，磷蒸气回收组件包括从左向右往下倾斜设置的冷凝通道，冷凝通道左端设有一块布满微米级孔洞的挡板，冷凝通道周边设有冷凝器，冷凝通道右侧底部设有通至红磷加热容器的冷凝液出口，冷凝液出口处设有通至红磷加热容器的液磷收集装置。

3.如权利要求2所述的一种磷化铟多晶合成设备，其特征在于：所述液磷收集装置包括活动设置在冷凝液出口处的定量封堵片，定量封堵片旁设有竖向...

【技术特征摘要】

1.一种磷化铟多晶合成设备，包括炉体，炉体外设有外保温层，炉体内设有红磷加热容器、多晶合成容器、磷蒸气限流组件和磷蒸气回收组件；

2.如权利要求1所述的一种磷化铟多晶合成设备，其特征在于：所述磷蒸气回收组件位于炉体右端，磷蒸气回收组件包括从左向右往下倾斜设置的冷凝通道，冷凝通道左端设有一块布满微米级孔洞的挡板，冷凝通道周边设有冷凝器，冷凝通道右侧底部设...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱雪峰，何鹏飞，黄国勇，钱俊兵，王应武，
申请(专利权)人：昆明理工大学，
类型：新型
国别省市：