发光器件制造技术

技术编号:4133364 阅读:135 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及发光器件。本发明专利技术的目的是提供一种能有效率地防止杂质从衬底扩散到晶体管,以及在向其外提取光的过程中减少光的反射的发光器件。本发明专利技术的一个特征是发光器件包括衬底,设置在衬底上的第一绝缘层,设置在第一绝缘层上的晶体管,以及具有设置成暴露衬底的第一开口部分以及覆盖晶体管的第二绝缘层,其中发光元件设置在第一开口部分内。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有源矩阵发光器件。更具体地说,本专利技术涉及器件中光从其获取的部 分的结构。
技术介绍
利用来自电致发光元件(发光元件)的光的发光器件因其作为具有宽视角的低功 耗显示器件而引起广泛注意。 作为主要用于显示器的发光器件的驱动方法有有源矩阵型和无源矩阵型两种型 式。在有源矩阵发光器件中,每一个发光元件的发射状态,非发射状态等都可受到控制。因 此,有源矩阵发光器件可比无源矩阵发光器件用更低的功耗驱动,所以其适合于不仅作为 诸如移动电话的小电器的显示部分安装,而且适合于作为大尺寸电视机等的显示部分安 装。 在有源矩阵发光器件中,每个发光元件都配备一个晶体管,用于控制各个发光元 件的驱动。每一个晶体管和发光元件都安置在衬底之上,因此光的向外提取不会受到晶体 管的阻挡(例如,参考专利文件l :日本专利申请No.Hei08-330600和专利文件2 :日本专利 申请No.Heil0-254383)。发光元件具有这样的结构,该结构中发光层插在一对电极之间,光 在发光层中产生。这里,发光元件的发射状态和非发射状态由来自晶体管的信号控制。 如同专利文件1和2中的发光器件,光通过由氧化铟本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件,包括:    衬底;    设置在所述衬底上的第一绝缘层;    设置在所述第一绝缘层上的晶体管;    具有第一开口部分并且覆盖所述晶体管的第二绝缘层;    设置在所述第二绝缘层上并且电连接至所述晶体管的第一电极,其中所述第一电极在所述第一开口部分中和所述第一绝缘层接触;    具有第二开口部分并且覆盖所述第二绝缘层的堤坝层;    设置成在所述第二开口部分中和所述第一电极重叠的发光层;    设置成在所述第二开口部分中和所述发光层重叠的第二电极。

【技术特征摘要】
JP 2004-1-26 2004-0175341. 一种发光器件,包括 衬底;设置在所述衬底上的第一绝缘层; 设置在所述第一绝缘层上的晶体管; 具有第一开口部分并且覆盖所述晶体管的第二绝缘层;设置在所述第二绝缘层上并且电连接至所述晶体管的第一电极,其中所述第一电极在 所述第一开口部分中和所述第一绝缘层接触;具有第二开口部分并且覆盖所述第二绝缘层的堤坝层; 设置成在所述第二开口部分中和所述第一电极重叠的发光层; 设置成在所述第二开口部分中和所述发光层重叠的第二电极。2. 如权利要求1所述的发光器件,还包括设置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之 间的第三绝缘层,其中所述第三绝缘层包括氧化硅。3. —种发光器件,包括 衬底;设置在所述衬底上的第一绝缘层; 设置在所述第一绝缘层上的晶体管; 具有第一开口部分并且覆盖所述晶体管的第二绝缘层;在所述第一开口部分内覆盖所述第二绝缘层和所述第一绝缘层的第三绝缘层; 设置在所述第三绝缘层上并且电连接至所述晶体管的第一电极,其中所述第一电极在 所述第一开口部分中与所述第一绝缘层接触;具有第二开口部分并且覆盖所述第三绝缘层的堤坝层; 设置成在所述第二开口部分中与所述第一电极重叠的发光层; 设置成在所述第二开口部分中与所述发光层重叠的第二电极。4...

【专利技术属性】
技术研发人员:川上贵洋土屋薰西毅平形吉晴贵田启子佐藤步山嵜舜平
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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